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J-GLOBAL ID：201602278211387362   整理番号：16A0526645

HTSバルク磁石への複数回パルス着磁;去における残留磁場分布形状に対する磁束侵入

著者 (7件)： 岡徹雄 (新潟大) ,  原健介 (新潟大) ,  小川純 (新潟大) ,  福井聡 (新潟大) ,  佐藤孝雄 (新潟大) ,  横山和哉 (足利工大) ,  村上明 (一関工高専)
資料名： 低温工学・超電導学会講演概要集  (低温工学・超電導学会秋季講演概要集)
巻： 93rd  ページ： 42  発行年： 2016年05月30日 
JST資料番号： G0564B  ISSN： 0919-5998  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高温超伝導バルク磁石のパルス着磁過程においては,すでに磁化された試料のもつ磁束分布が,続いて印加されるパルス磁場の侵入に強く影響することはすでに知られている。筆者らは,簡便な励磁手段としてのパルス着磁法によるバルク磁石の捕捉磁場性能の向上をねらい,複数回着磁において磁場印加前に捕捉されている様々な形状の磁場分布が最終的な捕捉磁場とその分布にどのように影響するかを実験的に調査した。Jcの異なるDy123系とGd123系バルクを試料とし,その周辺部が強く磁化されたM字型,あるいは台形の磁場分布を形成したあとで,続くパルス磁場印加の際の磁場侵入の振る舞いと捕捉磁場性能を測定した。Jcの低いDy系ではM字分布が明確なほど捕捉磁場は抑制される一方,Gd系では磁場侵入の抑制によって3.4Tの高い捕捉磁場性能が得られた。(著者抄録)

シソーラス用語： 高温超伝導体 ,  *超伝導磁石 ,  *磁場 ,  分布 ,  磁束 ,  臨界電流密度 ,  磁化 ,  磁束分布 ,  *磁束フロー ,  超伝導
準シソーラス用語： 残留磁場 ,  磁場分布 ,  *捕捉磁場 ,  パルス着磁

分類 (1件)： 超伝導磁石  (BM04042N)

タイトルに関連する用語 (8件)： HTS ,  バルク ,  磁石 ,  複数回 ,  パルス着磁 ,  残留磁場 ,  分布形 ,  磁束侵入