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J-GLOBAL ID：201602286948151007   整理番号：16A1356738

浅いイオン注入ゲルマニウム層の水素プラズマ改質【Powered by NICT】

Hydrogen plasma modification of shallow implanted Germanium layers

著者 (9件)： Nazarov A. N. (Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, 41, Nauky Pr., 03028 Kyiv, Ukraine) ,  Yukhymchuk V. O. (Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, 41, Nauky Pr., 03028 Kyiv, Ukraine) ,  Okholin P. N. (Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, 41, Nauky Pr., 03028 Kyiv, Ukraine) ,  Lytvyn P. M. (Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, 41, Nauky Pr., 03028 Kyiv, Ukraine) ,  Lysenko V. S. (Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, 41, Nauky Pr., 03028 Kyiv, Ukraine) ,  Glotov V. I. (Research Institute of Microdevices NAS of Ukraine, 3, Pivnychno-Syretska Str., 04130 Kyiv, Ukraine) ,  Nazarova T. M. (Department of Common and Inorganic Chemistry, National Technical University of Ukraine “KPI”, 37 Peremogy Pr., 03056 Kyiv, Ukraine) ,  Napolitani E. (CNR-IMM-MATIS, Department of Physics and Astronomy, University of Padova, Padova, Italy) ,  Duffy R. (Tyndall National Institute, University College Cork, Cork, Ireland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： NAP  ページ： 01PISERE02-1-01PISERE02-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RF水素プラズマ処理,急速熱焼なましと熱焼なまし高線量注入非晶質化したp型Ge層のRaman散乱分光法,AFM,SIMSおよび電気化学的容量-電圧プロファイリングによって研究した。は約200~°Cの温度で低温RFプラズマ処理は表面から深さ約20nm最大濃度8×10~19cm~ 3まで注入された不純物のP~+イオンと活性化を注入した非晶質Ge層の完全な再結晶をもたらすことを示した。窒素雰囲気中で急速熱アニーリング(15秒)と熱アニーリング(10分)はGeバルクの注入不純物内部の拡散を生じることを再結晶化と活性化過程のためのかなり高い温度を必要とした。プラズマ処理下の表面下注入したGe層の改質増強の機構を解析した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  プラズマ処理 ,  低温 ,  再結晶 ,  アモルファス化 ,  RTA【熱処理】 ,  不純物 ,  Raman散乱 ,  *イオン注入 ,  焼なまし ,  非晶質
準シソーラス用語： 熱アニーリング ,  窒素雰囲気 ,  RFプラズマ ,  *水素プラズマ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： イオン注入 ,  ゲルマニウム ,  水素プラズマ ,  改質