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J-GLOBAL ID：201602289067057283   整理番号：16A0396173

金属ナノコンタクトへの低温水素注入による電子状態制御

著者 (8件)： 高田弘樹 (九大 大学院) ,  家永紘一郎 (東京工大 大学院) ,  ISLAM Md. S. (九大 大学院) ,  稲垣祐次 (九大 大学院) ,  辻井宏之 (金沢大 教育) ,  橋爪健一 (九大 大学院) ,  大塚哲平 (九大 大学院) ,  河江達也 (九大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 71  号： 1  ページ： ROMBUNNO.21APS-84  発行年： 2016年03月22日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *電気接点 ,  *電子状態 ,  *水素吸蔵 ,  電気伝導 ,  電気伝導率 ,  液体水素 ,  低温 ,  注入 ,  水素
準シソーラス用語： *ナノコンタクト ,  水素注入

分類 (1件)： その他の金属組織学  (WB01040Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノコンタクト ,  低温 ,  水素 ,  注入 ,  電子状態