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J-GLOBAL ID：201602290780686672   整理番号：16A0657434

GaN Schottky障壁ダイオードを用いたマイクロ波空洞箱の中の無線充電のための技術【Powered by NICT】

Technologies for wireless charging in microwave cavity box using GaN Schottky barrier diode

著者 (4件)： Ohno Yasuo (Laser Systems Inc., Sapporo, Japan) ,  Itoh Hiroko (Laser Systems Inc., Sapporo, Japan) ,  Fujihara Ryota (Institute of Technology and Science, Tokushima University, Japan) ,  Ao Jin-Ping (Institute of Technology and Science, Tokushima University, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： WPTC  ページ： 1-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 5.8GHzにおける小型移動装置へのマイクロ波電力伝送のための技術を提示し,効率的で高出力RF/DC変換のためのGaN Schottky障壁ダイオード(SBD)を含む電圧逓倍器対を有するレクテナ回路はマイクロ波空洞ボックスにおける効率的な充電条件を制御する信号反射,周波数変調を減少させることにある。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 周波数変調 ,  *充電 ,  電圧 ,  *窒化ガリウム ,  *ダイオード ,  マイクロ波送電 ,  *マイクロ波
準シソーラス用語： レクテナ ,  高出力 ,  *ワイヤレス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： パターン認識  (JE07000S) ,  無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  Schottky障壁ダイオード ,  マイクロ波空洞 ,  無線 ,  充電