文献

J-GLOBAL ID：201602291961847994   整理番号：16A0585692

110GHz帯域幅を持つ高出力フリップチップ結合フォトダイオード【Powered by NICT】

High-Power Flip-Chip Bonded Photodiode With 110 GHz Bandwidth

著者 (7件)： Qinglong Li (Dept. of Electr. & Comput. Eng., Univ. of Virginia, Charlottesville, VA, USA) ,  Kejia Li (Dept. of Electr. & Comput. Eng., Univ. of Virginia, Charlottesville, VA, USA) ,  Yang Fu (Dept. of Electr. & Comput. Eng., Univ. of Virginia, Charlottesville, VA, USA) ,  Xiaojun Xie (Dept. of Electr. & Comput. Eng., Univ. of Virginia, Charlottesville, VA, USA) ,  Zhanyu Yang (Dept. of Electr. & Comput. Eng., Univ. of Virginia, Charlottesville, VA, USA) ,  Beling Andreas (Dept. of Electr. & Comput. Eng., Univ. of Virginia, Charlottesville, VA, USA) ,  Campbell Joe C. (Dept. of Electr. & Comput. Eng., Univ. of Virginia, Charlottesville, VA, USA)
資料名： Journal of Lightwave Technology  (Journal of Lightwave Technology)
巻： 34  号： 9  ページ： 2139-2144  発行年： 2016年 
JST資料番号： H0922A  ISSN： 0733-8724  CODEN： JLTEDG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 110GHz以上の帯域を持つ裏面入射フリップチップ結合電荷補償修正単一走行キャリアフォトダイオード(PD)を実証した。10-,6μm直径を有するPDは,110GHzで100GHzと7.8dBmで9.6dBmをRF出力パワーレベルを供給した。Sパラメータフィッティングからのパラメータ抽出に基づく解析モデルを帯域幅制限因子を評価した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *帯域幅 ,  解析モデル ,  *周波数帯 ,  *フリップチップ法 ,  不純物補償 ,  *フォトダイオード
準シソーラス用語： パラメータ抽出 ,  Sパラメータ ,  RF出力 ,  UTC-PD ,  *高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： フォトダイオード ,  結合過程 ,  光学素子の製作 ,  光受信機 ,  オプトエレクトロニクス素子

分類 (1件)： 光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 帯域幅 ,  高出力 ,  フリップチップ ,  フォトダイオード