半導体非破壊検査装置及び半導体非破壊検査方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野寿一郎
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013062025
公開番号（公開出願番号）：WO2013-161860
出願日： 2013年04月24日
公開日（公表日）： 2013年10月31日
要約：

【課題】半導体ウェハ等の半導体層を含む積層構造体から当該積層構造体の各層の電子物性情報や各層間界面の電子物性情報を取得することができる半導体非破壊検査装置及び半導体非破壊検査方法を提供する。【解決手段】半導体非破壊検査装置1であって、パルスレーザー光9をプローブ光L1とポンプ光L2に分割する手段と、半導体ウェハ5にポンプ光L2を照射することで、照射位置から電磁波10を放射させる手段と、電磁波10の振幅強度を検出素子19を介して検出し、電磁波10の振幅強度の時間波形に対応した時系列波形に変換するロックインアンプ28と、検出素子19にて振幅強度が検出される時間を周期的に遅延する時間遅延手段15と、前記時系列波形と、予め参照データとして準備した積層構造体の各単層構造体の時系列波形を比較することで積層構造体の各層の電子物性情報又は各層間界面の電子物性情報を取得する物性情報取得手段と、を有する。

請求項（抜粋）：

半導体層を含む積層構造体に対して所定の波長を有するパルスレーザー光を照射し、当該パルスレーザー光照射位置から放射される電磁波により前記積層構造体を非破壊で検査する半導体非破壊検査装置であって、前記パルスレーザー光をプローブ光とポンプ光とに2分割するレーザー光分割手段と、前記積層構造体に前記ポンプ光を照射することで、当該ポンプ光照射位置から前記電磁波を放射させる手段と、前記ポンプ光照射位置から放射される前記電磁波が入射され、当該入射された電磁波の振幅強度に応じた電流を発生させる検出素子と、前記検出素子に接続され、前記検出素子で発生した電流を電圧に変換する電流アンプと、前記電流アンプに接続され、前記電流アンプで変換された電圧を前記電磁波の振幅強度の時間波形に対応した時間的に変化する電圧信号に変換するロックインアンプと、前記プローブ光の光路に配置され、前記検出素子に前記電磁波が入射する時間を周期的に遅延可能である時間遅延手段と、前記時間的に変化する電圧信号と、予め参照データとして準備した前記積層構造体を構成する各単層構造体の時間的に変化する電圧信号を比較することで、前記積層構造体の各層の電子物性情報又は各層間界面の電子物性情報を取得する物性情報取得手段と、を有することを特徴とする半導体非破壊検査装置。

IPC (3件)：

G01N 21/64 , G01N 21/00 , H01L 21/66

FI (3件)：

G01N21/64 B , G01N21/00 B , H01L21/66 L

Fターム (57件)：

2G043AA01 , 2G043AA03 , 2G043CA07 , 2G043DA05 , 2G043EA01 , 2G043FA01 , 2G043FA03 , 2G043FA06 , 2G043FA07 , 2G043HA01 , 2G043HA02 , 2G043HA03 , 2G043HA07 , 2G043HA09 , 2G043HA12 , 2G043KA01 , 2G043KA05 , 2G043KA08 , 2G043KA09 , 2G043LA01 , 2G043NA01 , 2G059AA01 , 2G059AA03 , 2G059AA05 , 2G059BB10 , 2G059BB16 , 2G059DD12 , 2G059EE07 , 2G059EE11 , 2G059FF01 , 2G059FF04 , 2G059FF08 , 2G059GG01 , 2G059GG08 , 2G059GG09 , 2G059HH01 , 2G059HH06 , 2G059JJ11 , 2G059JJ14 , 2G059JJ15 , 2G059JJ19 , 2G059JJ22 , 2G059JJ24 , 2G059KK01 , 2G059LL01 , 2G059MM01 , 4M106AA01 , 4M106AA10 , 4M106BA05 , 4M106CA08 , 4M106CB02 , 4M106CB11 , 4M106CB12 , 4M106CB17 , 4M106DH12 , 4M106DH32 , 4M106DJ18

前のページに戻る