特許
J-GLOBAL ID:201603019279757304

半導体記憶装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 平山 一幸
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-105558
公開番号(公開出願番号):特開2013-235620
特許番号:特許第5998381号
出願日: 2012年05月06日
公開日(公表日): 2013年11月21日
請求項(抜粋):
【請求項1】 レジスタとコンパレータとモード制御部とを含んで構成される入力制御部と、前記入力制御部に接続される連想メモリブロックと、 を含み、 前記連想メモリブロックの各ワード回路は、前記入力制御部の第1のサーチラインに接続されるkビットの第1段サブワード回路と、前記入力制御部の第2のサーチラインに接続されるn-kビット(ここで、n-k>kである)の第2段サブワード回路と、前記第1段サブワード回路と前記第2段サブワード回路とを接続するセグメント化回路と、を備え、 前記第2段サブワード回路は、分割されたサブ-サブワード回路と、前記サブ-サブワード回路のそれぞれに接続されるローカル一致回路と、前記サブ-サブワード回路全体のグローバル一致回路とからなり、 前記サブ-サブワード回路のそれぞれには、前記入力制御部から検索ワードが並列に送出され、前記検索ワードと前記サブ-サブワード回路のそれぞれにおいて記憶されているワードとの一致が前記ローカル一致回路で判定され、 前記ローカル一致回路の全ての出力は、前記グローバル一致回路に入力される、半導体記憶装置。
IPC (1件):
G11C 15/04 ( 200 6.01)
FI (1件):
G11C 15/04 631 E
引用特許:
出願人引用 (5件)
  • 半導体記憶装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-150856   出願人:川崎製鉄株式会社
  • 特開平2-308499
  • 特開平3-212896
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審査官引用 (5件)
  • 半導体記憶装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-150856   出願人:川崎製鉄株式会社
  • 特開平2-308499
  • 特開平3-212896
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