特許

J-GLOBAL ID：201603020648827387

不純物導入方法及び半導体素子の製造方法

発明者： 池上 浩 ,  池田 晃裕 ,  浅野 種正 ,  井口 研一 ,  中澤 治雄 ,  関 康和 ,  村松 徹
出願人/特許権者： 国立大学法人九州大学 ,  富士電機株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 壯兵衞
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-174567
公開番号（公開出願番号）：特開2016-051737
出願日： 2014年08月28日
公開日（公表日）： 2016年04月11日
要約：

【課題】 レーザードーピングを行う際に、不純物元素以外の化合物塩や溶媒構成材料が、半導体基板の表面に吸着して生じる汚染が生じたり、半導体基板の結晶層中に取り込まれたりすることを回避できる。【解決手段】 不純物導入方法は、(i)半導体基板2の表面上に、不純物液1を用いて、不純物元素の分子の液相を形成する工程(ii)不純物元素の分子の液相を介して半導体基板2の表面にレーザ光6を照射する工程 を含み、半導体基板2の内部の一部に不純物元素を導入する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面上に、不純物元素の分子の液相を形成する工程と、 前記液相を介して前記半導体基板の表面にレーザ光を照射する工程と、 を含み、前記半導体基板の内部の一部に前記不純物元素を導入することを特徴とする不純物導入方法。

IPC (5件)：

H01L 21/228 ,  H01L 21/22 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 21/329

FI (4件)：

H01L21/228 ,  H01L21/22 E ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 A

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭56-130930
  
• 特開平4-048723
  
• 特開昭63-178520
  

審査官引用 (3件)

• 特開昭56-130930
  
• 特開平4-048723
  
• 特開昭63-178520
  

引用文献：

出願人引用 (1件)

• アンモニア水溶液中レーザー照射による4H-SiC中への窒素ドーピング

審査官引用 (1件)

• アンモニア水溶液中レーザー照射による4H-SiC中への窒素ドーピング