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J-GLOBAL ID：201702210402032854   整理番号：17A0390047

ペリレン-ジイミド(PDI)有機中間層を有するAu/n-Si Schottky構造のキャパシタンスおよびコンダクタンス-周波数特性

Capacitance and Conductance-Frequency Characteristics of Au/n-Si Schottky Structure with Perylene-Diimide (PDI) Organic Interlayer

著者 (4件)： YUEKSEL OE. F. (Selcuk Univ., Konya, TUR) ,  KUS M. (Selcuk Univ., Konya, TUR) ,  KUS M. (Selcuk Univ., Konya, TUR) ,  YILDIRIM M. (Selcuk Univ., Konya, TUR)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 2  ページ： 882-887  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n-Si結晶上へのペリレン-ジイミド(PDI)の塗布により製作したAu/PDI/n-Si/Al Schottkyダイオードの電気的特性を調べた。このダイオードの容量-コンダクタンス-周波数測定からの界面トラップ密度(D_it)と緩和時間(τ)の電圧と周波数依存性をそれぞれ,0.0~300mV,100kHz~1MHzの範囲で詳細に調べた。界面コンダクタンスと周波数の比G_it/ωの周波数依存性は1つのピークを示した。界面トラップ密度はAu/PDI/n-Si/Al Schottkyダイオードの方がAu/n-Siダイオードの値(~10¹³eV^-1cm²)より低かった。PDI層が界面状態を大きく改質したためと思われる。

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  *金 ,  *ケイ素 ,  *酸イミド ,  *芳香族縮合化合物 ,  電気的性質 ,  キャリア捕獲 ,  緩和時間
準シソーラス用語： *Au ,  *N型シリコン ,  *Schottkyダイオード ,  *ペリレンジイミド ,  界面トラップ ,  電気的特性

分類 (3件)： ダイオード  (NC03050R) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (7件)： ペリレン ,  ジイミド ,  中間層 ,  Au ,  キャパシタンス ,  コンダクタンス ,  周波数特性