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J-GLOBAL ID：201702210540842905   整理番号：17A0852228

AlGaN/GaN/AlGaN二重ヘテロ構造を用いたエンハンスメントモードGaN系H EMTの電流コラプスの抑制【Powered by NICT】

Suppression of Current Collapse in Enhancement Mode GaN-Based HEMTs Using an AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructure

著者 (6件)： Ho Shin-Yi (Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Lee Chun-Hsun (Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Tzou An-Jye (Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Kuo Hao-Chung (Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Wu Yuh-Renn (Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Huang JianJang (Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 4  ページ： 1505-1510  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高ゲートとドレイン電圧が印加された場合電流崩壊は,スイッチング過程の間におけるチャネル抵抗を増加させることを現象である。効果は,GaNベース高電子移動度トランジスタ(HEMT)で見られ,パワーエレクトロニクスへの応用のための障害である。半導体プロセス技術を用いた電流崩壊を抑制することについての多くの報告がある。本論文では,増強モード(Eモード)AlGaN/GaN/AlGaN二重ヘテロ構造を提案した。電流崩壊現象はEモードMISおよびSchottkyゲートH EMTのデバイスについて検討した。結果は二重ヘテロ構造を持つデバイスのための電流崩壊の抑制を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： HEMT ,  *窒化ガリウム ,  *電流 ,  パワーエレクトロニクス ,  スイッチング ,  半導体プロセス ,  チャネル
準シソーラス用語： ドレイン電圧 ,  *電流コラプス ,  *エンハンスメントモード ,  *ヘテロ構造 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  エンハンスメントモード ,  EMT ,  電流コラプス