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J-GLOBAL ID：201702211972836836   整理番号：17A0362505

低地球軌道での宇宙応用における高電力デバイスのための故障率計算法【Powered by NICT】

Failure rate calculation method for high power devices in space applications at low earth orbit

著者 (4件)： Dashdondog Erdenebaatar (Department of Electrical Engineering and Electronics, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan) ,  Harada Shohei (Department of Electrical Engineering and Electronics, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan) ,  Shiba Yuji (Department of Electrical Engineering and Electronics, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan) ,  Omura Ichiro (Department of Electrical Engineering and Electronics, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 64  ページ： 502-506  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高出力デバイスに及ぼす宇宙陽子誘起故障率のための普遍的な計算法を検討した。高エネルギー粒子について,地上と空間におけるパワー素子故障の理由であることができる。T-CADシミュレーション結果は,宇宙からの高エネルギー陽子により誘発されるデバイス破壊のための閾値電荷値を与えた。しきい値電荷の量は高電力デバイスのための印加電圧に依存する。プロトン浸透によるシリコン中の電荷発生の確率も同じく考慮されている。この確率関数の変化は,そこでは,以前に研究したプロトンのデバイスと入射エネルギーの厚さに依存する。に関する最後の考察を低地球軌道環境条件で提案した方法により計算された3.3kV PiNダイオードのシングルイベントアップセット断面積と故障率である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 浸透 ,  陽子 ,  SEU【シングルイベント】 ,  電荷 ,  *故障率 ,  *故障 ,  *宇宙空間
準シソーラス用語： 環境条件 ,  入射エネルギー ,  印加電圧 ,  高エネルギー ,  高エネルギー粒子 ,  高出力 ,  *パワーデバイス ,  *地球軌道 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 高出力装置 ,  パワーデバイスの信頼性 ,  プロトン誘起破壊 ,  高出力装置宇宙応用 ,  パワーデバイスの故障率

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 地球軌道 ,  宇宙 ,  応用 ,  電力デバイス ,  故障率 ,  計算法