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J-GLOBAL ID：201702212482060289   整理番号：17A0855285

n型Siの表面処理の影響:Pおよびp型SiGe低抵抗けい化物接触に及ぼすB半導体【Powered by NICT】

Impact of surface preparation for n-type Si:P and p-type SiGe:B semiconductors on low resistance silicide contacts

著者 (9件)： Carr A. (IBM Research at Albany Nano-Technology Center, 257 Fuller Road, Albany, NY 12203, USA) ,  Peethala B. (IBM Research at Albany Nano-Technology Center, 257 Fuller Road, Albany, NY 12203, USA) ,  Raymond M. (GLOBALFOUNDRIES TD, 257 Fuller Road, Albany, NY 12203, USA) ,  Adusumilli P. (IBM Research at Albany Nano-Technology Center, 257 Fuller Road, Albany, NY 12203, USA) ,  Kamineni V. (GLOBALFOUNDRIES TD, 257 Fuller Road, Albany, NY 12203, USA) ,  Niu C. (GLOBALFOUNDRIES TD, 257 Fuller Road, Albany, NY 12203, USA) ,  Arceo De La Pena A. (IBM Research at Albany Nano-Technology Center, 257 Fuller Road, Albany, NY 12203, USA) ,  Canaperi D.F. (IBM Research at Albany Nano-Technology Center, 257 Fuller Road, Albany, NY 12203, USA) ,  Siddiqui S. (GLOBALFOUNDRIES TD, 257 Fuller Road, Albany, NY 12203, USA)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 173  ページ： 22-26  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,半導体/金属界面での低い接触抵抗率を達成するために,二表面処理による効果的なシリコンとゲルマニウム酸化物還元を評価した。,一つはアルカリおよび他は酸性フッ素処理,これらの化学は,ドープされたn型およびp型半導体表面に存在するかもしれない任意のユニークな効果を分離するためにエピタキシャルn型Si:P層とp型Si_1 xGe_x:B(x=0.47)基板上に利用した。実際の論理素子のための統合されたプロセスフローにおけるプラズマ損傷と表面条件を模倣するために,X線光電子分光法(XPS)キャラクタリゼーションはNF_3ベースガスクラスタイオンビーム(GCIB)曝露とそれに続く水処理後のブランケット膜で行った。Si:P層とSiGe:B表面は両方ともGCIB曝露後SiO_2濃度の増加を示し,優先SiO_2表面酸化を示すSiGe:B表面であった。その後酸性処理は両エピタキシャル表面上のSiO_2濃度の減少を示し,アルカリ性(塩基性)処理表面組成の僅かな変化を示した。単純化した接触構造の電気的特性を評価し化学のためのSiGe:BにおけるSi:Pと10 13%15 23%の接触抵抗の利点を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *半導体 ,  塩基性 ,  *ケイ素 ,  *表面処理 ,  電気的性質 ,  ドーピング ,  酸化ゲルマニウム ,  *ケイ化物 ,  接触抵抗 ,  界面 ,  X線光電子分光法 ,  酸性 ,  エピタクシー ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： X線光電子分光法(XPS) ,  接触抵抗率 ,  伝送線路モデル ,  Si_1 xGe_x

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  表面処理 ,  低抵抗 ,  けい化物