文献

J-GLOBAL ID：201702212932306894   整理番号：17A0402810

酸化されたブラックシリコン構造の光学的性質について【Powered by NICT】

About the optical properties of oxidized black silicon structures

著者 (11件)： Pincik E. (Institute of Physics, SAS, Dubravska cesta 9, 845 11 Bratislava, Slovak Republic) ,  Brunner R. (Institute of Physics, SAS, Dubravska cesta 9, 845 11 Bratislava, Slovak Republic) ,  Kobayashi H. (Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan) ,  Mikula M. (Faculty of Chemical and Food Technology of STU, Radlinskeho 9, 812 37 Bratislava Slovak Republic) ,  Kucera M. (Institute of Electrical Engineering SAS, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovak Republic) ,  Svec P. (Institute of Physics, SAS, Dubravska cesta 9, 845 11 Bratislava, Slovak Republic) ,  Gregus J. (Faculty of Mathematics, Physics, and Informatics of Comenius University, Mlynska dolina, F2, 842 28 Bratislava, Slovak Republic) ,  Vojtek P. (Faculty of Mathematics, Physics, and Informatics of Comenius University, Mlynska dolina, F2, 842 28 Bratislava, Slovak Republic) ,  Zabudla Z. (Faculty of Mathematics, Physics, and Informatics of Comenius University, Mlynska dolina, F2, 842 28 Bratislava, Slovak Republic) ,  Imamura K. (Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan) ,  Zahoran M. (Faculty of Mathematics, Physics, and Informatics of Comenius University, Mlynska dolina, F2, 842 28 Bratislava, Slovak Republic)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 395  ページ： 185-194  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面構造の化学移動法(SSCT)により作製した熱酸化したブラックシリコン(OBSi)ナノ結晶試料の光学的および形態学的特性を調べた。この方法は触媒メッシュを用いた化学溶液HF+H_2O_2中に浸漬したc-Siの接触による~厚さ50nmの~300nmの範囲をもつc-Si上にナノ結晶Si黒色層を生成することができる。研磨c-SiとOBSi構造の両方の光ルミネセンス特性を主に示し,議論した。,研磨した結晶SiとOBSi試料の両方について液体ヘリウム(6K)と室温で記録された類似の光ルミネセンス(PL)挙動を記録されたルミネセンス光の類似した起源を示している。OBSi構造のPL極大の位置は主にSiナノ結晶とSiO(x)のサイズに関連しているとして,luminated OBSiナノ構造の支配的な部品のサイズを用いて,研磨Si法で予め決定し,および/またはそれらのサイズに形成された結晶の数の分布関数は非常に類似していることを示唆した。ほとんど値0.40eVに達する両PLスペクトルの青方偏移は試料温度の低下後に6Kまで観察され,半導体バンドギャップ幅の変化と関係づけた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ナノ構造 ,  光ルミネセンス ,  熱酸化 ,  分布関数 ,  浸漬 ,  バンドギャップ ,  ナノ結晶 ,  *ケイ素 ,  X線回折 ,  ルミネセンス ,  モルフォロジー ,  青方偏移 ,  研磨 ,  表面構造
準シソーラス用語： 光ルミネセンススペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ブラックシリコン ,  光ルミネセンス ,  X線回折 ,  青方偏移

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化 ,  ブラックシリコン ,  光学的性質