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J-GLOBAL ID：201702213551784777   整理番号：17A0289446

CF₄/Arプラズマにおける炭素をドープしたGe₂Sb₂Te₅(CGST)相変化材料の反応性イオンエッチング効果

Reactive ion etching effects on carbon-doped Ge₂Sb₂Te₅ phase change material in CF₄/Ar plasma

著者 (10件)： SHEN Lanlan (Shanghai Inst. Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  SHEN Lanlan (Graduate School., Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  SONG Sannian (Shanghai Inst. Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  SONG Zhitang (Shanghai Inst. Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  LI Le (Shanghai Inst. Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  GUO Tianqi (Shanghai Inst. Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  LIU Bo (Shanghai Inst. Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  WU Liangcai (Shanghai Inst. Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  CHENG Yan (Shanghai Inst. Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  FENG Songlin (Shanghai Inst. Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9818  ページ： 98180M.1-98180M.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここ数年,相変化メモリ(PCM)は,その優れた論理回路との互換性,スケーリングに有利な動作スキーム,および低い製造コストのために,FeRAMおよびMRAMなどの古い技術を上回る急速な進歩を遂げつつある。本稿では,フォトレジスト付きCGST薄膜をCF₄Arガス混合物を用いた反応性イオンエッチング(RIE)により調査した。ガス混合比,RF電力,ガス圧がエッチング速度に及ぼす影響,エッチングプロファイルおよびCGST膜の粗さを調査した。比較のために,ドープされていないGST膜も同時に研究された。エッチング速度の良好な性能を得るためには,CGST膜にはGSTよりも多くのCF₄が必要であった。異方性の良好な性能を得るために,より多くのArがGSTよりもCGSTフィルムに対して必要であった。RF出力およびチャンバ圧力の変化に対する,CGSTのエッチング速度および粗さの傾向は,GSTのものと同様であった。さらに,より高いRF電力が印加された場合,CGSTのエッチング速度はGSTのエッチング速度よりも飽和しやすかった。

シソーラス用語： *材料 ,  *RIE【エッチング】 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *テルル化物 ,  *アンチモン化合物 ,  不揮発性メモリ ,  炭素 ,  ドーピング
準シソーラス用語： *相変化材料 ,  テルル化ゲルマニウム ,  テルル化アンチモン ,  相変化メモリ

分類 (3件)： 相転移・臨界現象一般  (BL04010V) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ar ,  プラズマ ,  炭素 ,  ドープ ,  相変化材料 ,  反応性イオンエッチング