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J-GLOBAL ID:201702214180630527   整理番号:17A0402545

近紫外AlGaN系発光ダイオードの光出力を改善するための凝集したAgグリッドを用いた【Powered by NICT】

Using agglomerated Ag grid to improve the light output of near ultraviolet AlGaN-based light-emitting diode
著者 (7件):
資料名:
巻: 169  ページ: 29-33  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0406B  ISSN: 0167-9317  CODEN: MIENEF  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,近紫外(385nm)AlGaN系発光ダイオード(LED)の光出力を向上させるために網の目状にパターン化Agグリッド(幅:15~20μm)を導入した。Agグリッドは,意図的に空気中で1分間,500°Cでのアニーリングにより凝集した。Ag grid/indiumすず酸化物(ITO)電極を用いて作製したAlGaNベースLEDの出力性能は,ITO電極を用いたものと比較した。385nmの波長では,試料は54.2 74.1%の透過率を持っていた。Ag grid/ITO接触を有するLEDはITO電極(3.64V)を持つLEDよりも20mAで3.32 3 1.57Vの低い順方向電圧を示した。Ag grid/ITO電極を有するLEDはITO電極を用いた場合よりも15.6 15.9%高い光出力(400mW)を示した。有限差分時間領域シミュレーションに基づいて,改善された出力性能を簡単に記述し,議論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  発光素子 

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