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J-GLOBAL ID：201702215733952686   整理番号：17A0465690

導電性ポリマーポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)のパルス応答:ポリ(スチレンスルホネート)ベースの接合

Pulse Responses of the Conducting Polymer Poly(3,4-ethylenedioxythiophene): Poly(styrenesulfonate)-Based Junctions

著者 (5件)： ZENG Fei (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  LI Xiaojun (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  LI Sizhao (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  CHANG Chiating (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  HU Yuandong (Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 3  ページ： 1849-1854  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高い導電性,低コスト,良好な環境安定性,可撓性,および大型フィルムの製作の容易性を提供する導電性ポリマーは,幅広い分野の有機エレクトロニクスにおいて広範に研究されてきた。本研究では,導電性ポリマーPEDOT:PSSに基づくヘテロ接合のパルス応答を調査した。本研究では,パルス幅を変調することによって活動電位と同様のパルス応答を得た。したがって,ポリマーヘテロ接合を用いて,シナプス重量の計算方法に対する,刺激モデルおよびを方法を単純化することで,シナプス可塑性をシミュレートすることができた。本研究ではこの可能性をテストし,SRDPのような現象を観察した。電流振動が,パルス幅または振幅に関係しないすべてのサンプルで観察された。反応性行動のメカニズムは,メムリスタプロトコールに基づいて分析された。界面障壁は,キャパシタンスおよび電荷qの主要な供給源,すなわち,メモリ・ベースの基本変形の1つであると考えられる。導電性ポリマーの鎖構造は,主として,インダクタンスおよび磁束cpの起源,すなわち,メムリスタの別の基本的な変形を考慮しなければならない。

シソーラス用語： *導電性高分子 ,  ポリエチレンジオキシチオフェン ,  *パルス応答 ,  ポリスチレンスルホン酸 ,  ポリマブレンド ,  *ヘテロ接合 ,  *神経可塑性 ,  *電気振動 ,  回路部品
準シソーラス用語： PEDOT:PSS ,  シナプス可塑性 ,  電流振動 ,  メモリスタ

分類 (3件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

タイトルに関連する用語 (2件)： 導電性ポリマー ,  パルス応答