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J-GLOBAL ID：201702218018365635   整理番号：17A0364008

エピタキシャル成長させた歪んだSi:P層上に形成したNiシリサイド膜の微細構造特性【Powered by NICT】

Microstructural properties of Ni-silicide films formed on epitaxially grown strained Si:P layer

著者 (13件)： Choi Seongheum (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Kim Jinyong (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Choi Juyun (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Cho Sungkil (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Cho Sungkil (Eugene Technology Co., Ltd., Yongin 17156, Republic of Korea) ,  Lee Minhyeong (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Ko Eunjung (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Ko Eunjung (SK Hynix, Inc., Icheon 17336, Republic of Korea) ,  Rho Il Cheol (SK Hynix, Inc., Icheon 17336, Republic of Korea) ,  Kim Choon Hwan (SK Hynix, Inc., Icheon 17336, Republic of Korea) ,  Kim Yunseok (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Ko Dae-Hong (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Kim Hyoungsub (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 165  ページ： 1-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代ソース/ドレイン接触構造として,NiSi膜は歪とエピタキシャルSi:P層(P濃度~1.9at.%)上に形成した,それらのユニークな微細構造特性をアニーリング温度(400 800°C)の関数として評価した。Si上に形成したNiSi膜とは異なり,歪みSi:P上に形成されたものは均一な厚さと平底界面を持つ多くの異常に大きな結晶粒から成る,最も可能性のある根底にあるSi:P層に起因する歪効果のためである。NiSi/Si:P界面に建設された歪エネルギーは,その後の成長したNiSi膜の微細構造と形態,最終的に熱凝集の遅延をもたらすに有意な影響を及ぼしたと考えられている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 歪エネルギー ,  *ニッケル ,  界面 ,  凝集 ,  *ケイ化物 ,  結晶粒 ,  *微細構造 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： 歪効果 ,  アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  計測機器一般  (AD02000X)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシャル成長 ,  Si ,  Ni ,  シリサイド ,  微細 ,  構造特性