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J-GLOBAL ID：201702218582914368   整理番号：17A0392691

プラズマエッチングA-SIの均一性に及ぼす排気モードとプロセスパラメータの影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of exhaust mode and process on uniformity of plasma etching a-Si

著者 (4件)： Zhang Lixiang (AVIC Optoelectronics Co.,Ltd) ,  Wang Haitao (AVIC Optoelectronics Co.,Ltd) ,  Wang Youhai (AVIC Optoelectronics Co.,Ltd) ,  Xia Qingfeng (AVIC Optoelectronics Co.,Ltd)
資料名： Yejing yu Xianshi  (Yejing yu Xianshi)
巻： 31  号： 12  ページ： 1112-1117  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1519A  ISSN： 1007-2780  CODEN： YYXIFY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： プラズマエッチングプロセスにおいて,A-SIエッチング均一性に及ぼす出力,圧力,およびガス比率の影響を研究した。PECVD膜,RIEプラズマエッチング法を用い,段差計とスペクトル膜厚測定によりキャラクタリゼーションを行った。結果は,圧力が10~15PAのとき,出力が5~500Wの範囲にあるとき,A-SIエッチングの均一性はほとんどなく,工業生産に好適であることを示した。A-SIエッチング速度とエッチング均一性はガス比率に敏感で,SF_6:HCL=800:800ML/MINのときにA-SIエッチング均一性が最も良かった。四角排気方式はプラズマの濃度を維持する効果が顕著であり、エッチング均一性の向上に有利である。周囲排気方式はプラズマ濃度を破壊してA-SIエッチングの均一性を破壊する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 工業生産 ,  *排気 ,  スペクトル ,  *プロセスパラメータ ,  *プラズマ ,  *エッチング ,  キャラクタリゼーション ,  *プラズマエッチング ,  プラズマCVD
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  膜厚計測 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： plasma etching ,  a-Si ,  uniformity ,  exhaust mode

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： プラズマエッチング ,  均一性 ,  排気 ,  プロセスパラメータ