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J-GLOBAL ID：201702220061705745   整理番号：17A0289837

マルチビームリソグラフィーを用いた先端技術設計のマスク製造 (第二部)

Mask Manufacturing of Advanced Technology Designs using Multi-Beam Lithography (Part 2)

著者 (13件)： GREEN Michael (Photronics, Inc, Idaho) ,  HAM Young (Photronics, Inc, Idaho) ,  DILLON Brian (Photronics, Inc, Idaho) ,  KASPROWICZ Bryan (Photronics, Inc, Idaho) ,  HUR Ik Boum (Photronics, Inc, Idaho) ,  PARK Joong Hee (Photronics, Inc, Idaho) ,  CHOI Yohan (Photronics, Inc, Idaho) ,  MCMURRAN Jeff (Photronics, Inc, Idaho) ,  KAMBERIAN Henry (Photronics, Inc, Idaho) ,  CHALOM Daniel (IMS Nanofabrication AG, Vienna, AUT) ,  KLIKOVITS Jan (IMS Nanofabrication AG, Vienna, AUT) ,  JURKOVIC Michal (IMS Nanofabrication AG, Vienna, AUT) ,  HUDEK Peter (IMS Nanofabrication AG, Vienna, AUT)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9985  ページ： 99850R.1-99850R.11  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 極端紫外線リソグラフィー(EUVL)の検査点が様々な理由から排除された結果,193nmフォトリソグラフィーの有効寿命を延ばす方法の開発が進んでいる。しかし,10nm以細の論理ノードでは,フォトリソグラフィーはマスク製造者への要求を大きく高める。本研究の第一部では,10nm論理ノード用のマルチビームマルチ描画装置(MBMW)工程の初期特性化を行った。この第二部では,先端的パターン解析と描画時間の実証を含め,10nm以細の論理ノード用のMBMWをさらに特性化した。クリティカルディメンジョン(CD)の制御,最小分解能,パターン忠実度,画像配置,描画時間の観点から,ポジ型化学増幅レジストMBMWの特性を調べた。

シソーラス用語： *回路パターン形成 ,  半導体プロセス ,  化学増幅レジスト ,  補正 ,  *装置 ,  ビーム ,  電子ビーム ,  *リソグラフィー ,  *マスク ,  電子顕微鏡観察 ,  加工欠陥
準シソーラス用語： マスク欠陥 ,  *マスク描画装置 ,  可変成型ビーム ,  光近接効果補正 ,  描画装置

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 先端技術 ,  設計 ,  マスク