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J-GLOBAL ID：201702222001315303   整理番号：17A0400503

NBTI反応拡散とトラッピング/デトラッピングモデルのための解析的パラメータ抽出【Powered by NICT】

Analytical parameter extraction for NBTI reaction diffusion and trapping/detrapping models

著者 (9件)： Wang YanLing (Department of Electronics Engineering, Shanghai Key Laboratory of Multidimensional Information Processing, East China Normal University, Shanghai, China) ,  Li XiaoJin (Department of Electronics Engineering, Shanghai Key Laboratory of Multidimensional Information Processing, East China Normal University, Shanghai, China) ,  Qing Jian (Department of Electronics Engineering, Shanghai Key Laboratory of Multidimensional Information Processing, East China Normal University, Shanghai, China) ,  Zeng Yan (Department of Electronics Engineering, Shanghai Key Laboratory of Multidimensional Information Processing, East China Normal University, Shanghai, China) ,  Shi YanLing (Department of Electronics Engineering, Shanghai Key Laboratory of Multidimensional Information Processing, East China Normal University, Shanghai, China) ,  Guo Ao (Shanghai Integrated Circuit Research & Development Center, Shanghai, China) ,  Hu ShaoJian (Shanghai Integrated Circuit Research & Development Center, Shanghai, China) ,  Chen Shoumian (Shanghai Integrated Circuit Research & Development Center, Shanghai, China) ,  Zhao Yuhang (Shanghai Integrated Circuit Research & Development Center, Shanghai, China)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 66  ページ： 10-15  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 負バイアス温度不安定性(NBTI)モデルの正確なパラメータである回路設計における回路寿命を予測するために必須である。NBTI反応-拡散(R D)とトラッピング/デトラッピング(T/D)モデルのためのNBTIモデルパラメータの抽出方法を提案した。R-Dモデルパラメータ抽出は,主に二段階(線形近似と最適抽出を含んでいる。第一段階では,ΔV_日~1/2nの項は座標系変換,ΔV_日はしきい値電圧の劣化が後t~0.5とほぼ線形として記述されるとtは経過時間である。,モデルパラメータは計算することができた。第二では,遺伝的アルゴリズム(GA)の目的関数を構築し,その制約は第一段階から得られた値を参照して決定することができる。関数を解いた後,NBTIモデルの正確なパラメータのセットを得ることができた。同様に,T/Dモデルパラメータ抽出を曲線フィッティングとGAに基づく更なる最適化を含んでいる。R-DとT D抽出法の両方は,40nm CMOSプロセスを用いて検証した,プログラム抽出の抽出法を実装が容易である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 最適化 ,  遺伝的アルゴリズム ,  目的関数 ,  回路設計 ,  線形性 ,  *曲線あてはめ ,  CMOS
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  線形近似 ,  モデルパラメータ ,  *パラメータ抽出 ,  *トラッピング ,  *NBTI , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 負バイアス温度不安定性(NBTI) ,  反応-拡散(R D)モデル ,  トラッピング/デトラッピング(T/D)モデル ,  パラメータ抽出 ,  遺伝的アルゴリズム ,  座標系変換

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： NBTI ,  拡散 ,  トラッピング ,  解析 ,  パラメータ抽出