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J-GLOBAL ID：201702222936484040   整理番号：17A0289857

アクリルポリマーをベースにした非化学的増幅電子ビームレジストのサブ20nm密度パターンの作製プロセスの研究

Investigation of fabrication process for sub 20-nm dense pattern of non-chemically amplified electron beam resist based on acrylic polymers

著者 (7件)： OCHIAI Shunsuke (Yamaguchi Univ., Ube, JPN) ,  TAKAYAMA Tomohiro (Yamaguchi Univ., Ube, JPN) ,  KISHIMURA Yukiko (Yamaguchi Univ., Ube, JPN) ,  ASADA Hironori (Yamaguchi Univ., Ube, JPN) ,  SONODA Manae (National Inst. Technol., Miyakonojo, JPN) ,  IWAKUMA Minako (National Inst. Technol., Miyakonojo, JPN) ,  HOSHINO Ryoichi (LLC Gluon Lab, Ube, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9985  ページ： 99851L.1-99851L.7  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 加速電圧50kVのマルチビームマスク描画装置では,次世代フォトマスク作製に,20nmの線幅と線間(L/S)パターン分解能が必要である。この研究では,サブ20nm密度パターンのアクリルポリマータイプ電子ビームレジストを形成するために,現像の条件を変えることによって,α-クロロアクリレートとα-メチルスチレンからなるポリマーレジストの曝露特性を調べる。レジストは,Si基板上にスピンコートし,ホットプレートにより180°Cで2分予備焼付けした後,電子ビーム描画システムを用いて曝露試験を行う。また,後曝露焼付け(PEB)を120°Cで2分間行い,その影響を調べた。曝露した試料は,アミルおよびヘプチルアセテート中で現像した。試料は,サイズ排除クロマトグラフィおよび走査型電子顕微鏡によって特性化した。20/20nmL/Sパターンは,PEBおよび/または温度0°Cの現像によって作製され,それによってパターンの形状が改善される。

シソーラス用語： *電子線レジスト ,  アクリル樹脂 ,  電子ビームリソグラフィー ,  熱処理 ,  現像 ,  *パターン形成 ,  共重合体 ,  ラジカル重合
準シソーラス用語： ナノパターン形成 ,  ミクロパターン形成 ,  露光後ベーク

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (4件)： α-メチルスチレン ,  酢酸アミル ,  酢酸ヘキシル ,  α-クロロアクリル酸メチル

タイトルに関連する用語 (9件)： アクリルポリマー ,  化学 ,  増幅 ,  電子ビームレジスト ,  サブ ,  密度 ,  作製 ,  プロセス ,  研究