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J-GLOBAL ID：201702224824373030   整理番号：17A0855287

降圧パターン形成とダミーゲートプロセスを用いたナノスケールトライゲート電界効果トランジスタの作製【Powered by NICT】

Fabrication of a nano-scaled tri-gate field effect transistor using the step-down patterning and dummy gate processes

著者 (4件)： Lee Jae Ho (Department of Materials Science and Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Gwanak-ro 1, Daehag-dong, Gwanak-gu, Seoul 151-744, Republic of Korea) ,  Kim Dong-Gun (Department of Materials Science and Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Gwanak-ro 1, Daehag-dong, Gwanak-gu, Seoul 151-744, Republic of Korea) ,  Lee Hyun-Jae (Department of Materials Science and Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Gwanak-ro 1, Daehag-dong, Gwanak-gu, Seoul 151-744, Republic of Korea) ,  Hwang Cheol Seong (Department of Materials Science and Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Gwanak-ro 1, Daehag-dong, Gwanak-gu, Seoul 151-744, Republic of Korea)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 173  ページ： 33-41  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三次元ゲート電界効果トランジスタ(TGFET)のプロセスシーケンスと素子性能を報告した,20nmチャネル幅と80nmフィン高さとフィンSiチャネルは,従来のi線ステッパ,二重ハードマスク降圧(DHMSD)リソグラフィープロセスにより支援されたを用いて作製した。チャネル長は150nmであった。酸化物換算厚みが1.9nmと他の原子層堆積プロセスにより成長させたTiN層を有する原子層堆積Al_2O_3膜は高k金属ゲートとして採用して,それぞれ,ダミーゲートプロセスを用いた。素子の性能は同じSiウエハ上に作製した同時にプレーナFETのそれと比較した。イオン注入とNiシリサイドプロセスもこのプロセスシーケンスを最適化した。両nおよびp型素子を作製した。TGFETは高いオン/オフ電流比~10~6,n型デバイスのための105mV/decの低サブしきい値スイング,及びn型デバイスに対して30mVの小さいドレイン誘起障壁低下,平面FETデバイスに比べて著しく改善されたデバイス性能を示した。これらの改良したトリゲートフィン型チャンネルの静電制御,理論的期待値と以前の実験結果と一致するの改善によるものであった。それにもかかわらず,p型素子は,ソースとドレイン領域チャネルへの過剰なドーパント拡散によるn型素子と比較して性能が劣った。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： チャネル ,  *パターン形成 ,  ドーパント ,  フィン ,  *FET【トランジスタ】 ,  ケイ素 ,  イオン注入
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  シリコンウエハ ,  メタルゲート ,  窒化チタン ,  ALCVD ,  チャネル長 ,  ハードマスク ,  チャネル幅 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： トライゲートFET ,  Gate-last ,  TiN ,  Al_2O_3 ,  降圧パターン形成 ,  ダミーゲート

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 降圧 ,  パターン形成 ,  電界効果トランジスタ ,  作製