文献

J-GLOBAL ID：201702226567879800   整理番号：17A0142327

大規模,無触媒,横方向ZnOナノワイヤネットワークの制御可能な合成【Powered by NICT】

Controllable synthesis of large scale, catalyst-free, lateral ZnO nanowires network

著者 (6件)： Jian Guan (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun, China 130021) ,  Shuxu Guo (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun, China 130021) ,  Haitao Jiang (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun, China 130021) ,  Fengli Gao (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun, China 130021) ,  Wenqiang Lu (Chongqing Key Laboratory of Multi-scale Manufacturing Technology, Chongqing Institute of Green and Intelligent Technology, Chinese Academy of Sciences, Chongqing, China 400714) ,  Deqiang Wang (Chongqing Key Laboratory of Multi-scale Manufacturing Technology, Chongqing Institute of Green and Intelligent Technology, Chinese Academy of Sciences, Chongqing, China 400714)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： 3M-NANO  ページ： 39-42  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,化学蒸着(CVD)を用いてSi基板上に大規模無触媒酸化亜鉛ナノワイヤ(ZnO NWs)ネットワーク成長のための新しい方法を報告した。Si基板のSiO2層がウニ状ZnONW塊の成長核として働くSiO2角柱アレイにフォトエッチングと,互いに上のNW断面は統合ネットワークを形成した。この方法は横方向ZnONWネットワークの制御された成長を達成し,in situナノデバイス作製を可能にした。一方,蒸着メカニズムを,種々の成長条件とともに対照実験,大型基板上に成長を実現するにより検討し,確認した。電界放出走査型電子顕微鏡(FE SEM)の結果によると,ZnO NWはウルツ鉱型六方晶単結晶であり,ネットワークである大量の交点による無傷。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,  角柱 ,  *酸化亜鉛 ,  統合通信網 ,  化学蒸着 ,  六方晶系 ,  電界放出 ,  単結晶 ,  蒸着 ,  *ネットワーク
準シソーラス用語： ウルツ鉱 ,  成長条件 ,  ナノデバイス ,  シリコンウエハ ,  *酸化亜鉛ナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (9件)： 物理化学一般  (CB01010X) ,  金属への塗装  (YJ04030I) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  化学プロセスの計測,制御一般  (XC02010C) ,  高分子固体の構造と形態学  (CG02022M) ,  錯体のルミネセンス  (BM08095R) ,  物理分析一般  (CC03011F) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 大規模 ,  触媒 ,  横方向 ,  ZnOナノワイヤ