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J-GLOBAL ID：201702228132177031   整理番号：17A0400508

高温で動作するESD保護素子の特性【Powered by NICT】

Characteristics of ESD protection devices operated under elevated temperatures

著者 (7件)： Liang Wei (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Central Florida, Orlando, FL, USA) ,  Dong Aihua (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Central Florida, Orlando, FL, USA) ,  Li Hang (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Central Florida, Orlando, FL, USA) ,  Miao Meng (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Central Florida, Orlando, FL, USA) ,  Kuo Chung-Chen (Allegro MicroSystem LLC, Worcester, MA, USA) ,  Klebanov Maxim (Allegro MicroSystem LLC, Worcester, MA, USA) ,  Liou Juin J. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Central Florida, Orlando, FL, USA)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 66  ページ： 46-51  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ESDストレスと種々の周囲温度のもとで運転される静電放電(ESD)保護素子の特性を調べた。考慮した素子は,0.35μmB CD(バイポーラ-CMOS-DMOS)技術で製作した横型SCR(LSCR),修正横型SCR(MLSCR),スナップバックSCR(NS SCR),低電圧トリガSCR(LVTSCR),P基板トリガSCR(PSTSCR)を含むP+/NWダイオードといくつかのシリコン制御整流器(SCR)である。測定はBarth4002伝送線路パルス(TLP)テスタとSignatone S1060加熱モジュールを用いて行い,TLP I-V特性を詳細に解析した。TCADシミュレーションを行い,重要なESDパラメータに及ぼす温度の影響に関連した基礎となる物理的機構を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： サイリスタ ,  シミュレーション ,  伝送線路 ,  パルス ,  ダイオード ,  *高温 ,  回路試験器 ,  CMOS
準シソーラス用語： TCAD ,  低電圧 ,  スナップバック ,  静電気放電 ,  周囲温度 ,  *ESD保護 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ESD ,  温度 ,  テンションレグプラットホーム(TLP) ,  SCR ,  ダイオード ,  TCAD

分類 (4件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  増幅回路  (NC05040U) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (1件)： ESD保護