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J-GLOBAL ID：201702228577761620   整理番号：17A0057832

微分反射顕微鏡で調べたFD-SOIウエハのシリコン厚さの変化【Powered by NICT】

Silicon thickness variation of FD-SOI wafers investigated by differential reflective microscopy

著者 (7件)： Auerhammer J. (GLOBALFOUNDRIES Inc., Dresden, Germany) ,  Hartig C. (GLOBALFOUNDRIES Inc., Dresden, Germany) ,  Wendt K. (GLOBALFOUNDRIES Inc., Dresden, Germany) ,  van Oostrum R. (GLOBALFOUNDRIES Inc., Dresden, Germany) ,  Pfeiffer G. (GLOBALFOUNDRIES US, Hopewell Junction, NY, 12533, USA) ,  Bayer S. (HSEB Dresden GmbH, Dresden, Germany) ,  Srocka B. (HSEB Dresden GmbH, Dresden, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： S3S  ページ： 1-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 十ナノメータ範囲の非常に薄いSi表面層を持つ完全空乏シリコン・オン・インシュレータ(FD SOI)ウエハを22nm技術に基づく最新CMOS技術のためのウエハを横切るÅ範囲で非常に厳密な均一性要求を満たさなければならない。,トランジスタのボディ厚を定義する完全なSi層の厚さ変化,素子特性はウエハの2~3の場所だけでなくで決定しなければならないが,完全な横方向特性化が望まれている。離散位置で全ウエハマップと高分解能モードのための低分解能モードにおける微分反射顕微鏡(DRM)はSOI厚さ変動を特性化するために用いた。DRMによるフルウエハマップを偏光解析法よりも高い分解能を提供し,SOI製造プロセスの制御に利用できる。高分解能測定から得られたSOI厚さ変動ITRSロードマップの要求と比較した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 分解能 ,  高分解能 ,  *ケイ素 ,  生産工程 ,  *微分 ,  偏光解析法 ,  表層 ,  キャラクタリゼーション ,  *顕微鏡
準シソーラス用語： ロードマップ ,  ITRS ,  低分解能 ,  デバイス特性 ,  CMOS技術 ,  ナノメータ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 微分 ,  SOI ,  ウエハ ,  シリコン ,  厚さ