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J-GLOBAL ID：201702231523175593   整理番号：17A0362555

不揮発性メモリ応用のための電荷捕獲層としてのNbドープGa_2O_3【Powered by NICT】

Nb-doped Ga₂O₃ as charge-trapping layer for nonvolatile memory applications

著者 (4件)： Shi R.P. (Department of Electrical & Electronic Engineering, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong Island, Hong Kong) ,  Huang X.D. (Key Laboratory of MEMS of the Ministry of Education, Southeast University, Nanjing 210096, China) ,  Sin Johnny K.O. (Department of Electronic & Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong) ,  Lai P.T. (Department of Electrical & Electronic Engineering, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong Island, Hong Kong)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 65  ページ： 64-68  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NbドープGa_2O_3の電荷捕獲特性はAl/Al_2O_3/GaNbO/SiO_2/Si構造を用いて調べた。純Ga_2O_3をもつメモリ容量と比較して,低NbドープGa_2O_3はその高いトラップ効率Nbドーピングにより誘起された増加したトラップ密度からのために,より良い電荷捕獲特性,より大きなメモリウィンドウ(±6Vの掃引電圧で5.5V)を含む,より高いプログラミングと消去速度を示した。Nbを多量にドープしたGa_2O_3試料も純粋なGa_2O_3を比較したが,過剰のNb添加により生成した欠陥に起因する低Nbをドープした試料の場合ほど大きくはない改善を示した。消去飽和現象が全ての試料で観察され,Nbドーピングにより生成された正孔トラップにより抑制することができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ドーピング ,  電圧 ,  記憶容量 ,  *不揮発性メモリ ,  *ニオブ ,  高k誘電体 ,  正孔トラップ ,  トラップ密度 ,  *電荷捕獲

著者キーワード (4件)： 不揮発性メモリ ,  電荷捕獲 ,  高k誘電体 ,  NbドープGa_2O_3

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 不揮発性メモリ ,  応用 ,  電荷捕獲 ,  Nb ,  ドープ