文献

J-GLOBAL ID：201702232187304188   整理番号：17A0316979

短チャネル三重ゲート無接合ナノワイヤトランジスタのドレイン電流モデル【Powered by NICT】

Drain current model for short-channel triple gate junctionless nanowire transistors

著者 (8件)： Paz B.C. (Department of Electrical Engineering, Centro Universitario da FEI, Av. Humberto de Alencar Castelo Branco, 3972, CEP 09850-901 Sao Bernardo do Campo, Brazil) ,  Casse M. (CEA-LETI Minatec, 17 Rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France) ,  Barraud S. (CEA-LETI Minatec, 17 Rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France) ,  Reimbold G. (CEA-LETI Minatec, 17 Rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France) ,  Faynot O. (CEA-LETI Minatec, 17 Rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France) ,  Avila-Herrera F. (Department of Electrical Engineering, CINVESTAV, Av. Instituto Politecnico Nacional, 2508, A. P. 14-740, 07360, Mexico) ,  Cerdeira A. (Department of Electrical Engineering, CINVESTAV, Av. Instituto Politecnico Nacional, 2508, A. P. 14-740, 07360, Mexico) ,  Pavanello M.A. (Department of Electrical Engineering, Centro Universitario da FEI, Av. Humberto de Alencar Castelo Branco, 3972, CEP 09850-901 Sao Bernardo do Campo, Brazil)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 63  ページ： 1-10  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報では,三重ゲート無接合ナノワイヤトランジスタ(3G JNT)のドレイン電流を記述する数値的電荷に基づく新しいモデルを提案する。ドレイン電流は運転の蓄積及び欠乏両領域における無接合電荷密度について述べた物理的単一表現の数値積分で得られたすべての運転領域で連続モデルを導いた。三重ゲート構造を二重ゲート無接合ナノワイヤトランジスタ(2G JNT)用に設計された以前のモデルの進化からモデル化した。容量結合,内部ポテンシャル短チャネル効果(SCE)にナノワイヤトランジスタと高い免疫におけるフィン高さを低減しながら変化に関する改善を考察した。モデル検証は長と短チャネルデバイスのための三次元数値シミュレーションと実験測定の両方によって行った。シミュレーション結果を通して,フィン高さの異なる値を持つ無接合トランジスタのモデル化曲線の一致を検証した。提案されたモデルと実験データの間の比較は,15nmまでのチャネル長とフィン高さ8nmの3g JNT先端構造にたいして行った。ドーピング濃度及びチャネル幅の異なる値を持つ3g JNTの結果も同様にdisplaid良好な一致を示した。,3g JNT性能は,また,しきい値電圧(TH),サブしきい値傾斜(S),DIBL(ドレイン誘起障壁低下),モデルパラメータを抽出することにより調べた構造解析し,比較した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電荷 ,  短チャネル効果 ,  三次元 ,  モデリング ,  *フィン
準シソーラス用語： DIBL ,  サブ閾値 ,  閾値電圧 ,  チャネル長 ,  数値シミュレーション ,  二重ゲート ,  *ドレイン電流 ,  *ナノワイヤトランジスタ ,  *三重ゲート ,  *短チャネル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： ドレイン電流モデル化 ,  三重ゲート無接合 ,  短チャネル効果

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 短チャネル ,  三重ゲート ,  ナノワイヤトランジスタ ,  ドレイン電流 ,  モデル