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J-GLOBAL ID：201702232497989111   整理番号：17A0400537

磁気抵抗ランダムアクセスメモリにおける全電離線量誘起読取ビット誤差の研究【Powered by NICT】

Study of total ionizing dose induced read bit errors in magneto-resistive random access memory

著者 (13件)： Zhang Haohao (The Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Zhang Haohao (Jiangsu Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing 210009, China) ,  Bi Jinshun (The Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Bi Jinshun (Jiangsu Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing 210009, China) ,  Wang Haibin (School of Internet of Things Engineering, HoHai University, Changzhou, China) ,  Hu Hongyang (The Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Hu Hongyang (Jiangsu Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing 210009, China) ,  Li Jin (The Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Li Jin (Jiangsu Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing 210009, China) ,  Ji Lanlong (The Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Ji Lanlong (Jiangsu Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing 210009, China) ,  Liu Ming (The Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Liu Ming (Jiangsu Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing 210009, China)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 67  ページ： 104-110  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 16Mb磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)のためのCo-60照射結果を提示した。読取ビット誤差は総電離線量(TID)試験中に観察された。はそれらの物理的機構を検討し,現象を理解するために1M1T(磁気トンネル接合とトランジスタ)貯蔵構造におけるアクセストランジスタの抵抗ドリフトモデルを提案した。操作は,磁気トンネル接合(MTJ)コンパクトモデルを用いたHSPICEシミュレータによりシミュレートした。シミュレーション結果は,アクセストランジスタの抵抗変化はMRAMの読み出しビット誤差に大きな影響を持っていることを明らかにした。本研究の実験データ及び分析は,衛星搭載応用を標的とするMRAM設計を焼入するために使用することができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *イオン化 ,  シミュレータ ,  *放射線量 ,  トランジスタ ,  焼入 ,  記憶構造 ,  *磁気 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： 衛星搭載 ,  抵抗変化 ,  HSPICE ,  コンパクトモデル ,  磁気トンネル接合 ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： MRAM ,  全電離線量効果 ,  読取ビット誤差 ,  SPICEモデル ,  放射線硬化

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 磁気 ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  全電離 ,  線量 ,  誘起 ,  読取 ,  ビット誤 ,  研究