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J-GLOBAL ID：201702233336499766   整理番号：17A0881124

2000°C以上のZrB_2SiC二成分複合材料の酸化挙動【Powered by NICT】

Oxidation behaviors of ZrB₂-SiC binary composites above 2000°C

著者 (5件)： Inoue Ryo (Department of Materials Science and Technology, Tokyo University of Science, 6-3-1, Nijyuku, Katsushika-ku, Tokyo 125-8585, Japan) ,  Arai Yutaro (Department of Materials Science and Technology, Tokyo University of Science, 6-3-1, Nijyuku, Katsushika-ku, Tokyo 125-8585, Japan) ,  Arai Yutaro (Department of Advanced Interdisciplinary studies, Graduate School of Engineering, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8904, Japan) ,  Kubota Yuki (Department of Materials Science and Technology, Tokyo University of Science, 6-3-1, Nijyuku, Katsushika-ku, Tokyo 125-8585, Japan) ,  Kubota Yuki (Japan Aerospace Exploration Agency, Structures and Advanced Composite Research Unit, Ohsawa 6-13-1, Mitaka-shi, Tokyo 181-0015, Japan)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 11  ページ： 8081-8088  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 濃度の異なるSiC(0 30vo1%)を持つモノリシックZrB_2とZrB_2SiC二成分複合材料のための迅速酸化試験は2000°C以上で電気加熱システムを用いて行った。本研究で使用したシステムは250°C/sの高い加熱速度を達成した。実験結果は,酸化した試料の形態はSiC含有量に強く依存することを示した。2000°C以上表面スケール下のSiC欠乏層の形成機構は2000°C以下のそれとは全く異なっていた保持時間は10s以下であったが,空気雰囲気の酸素分圧は,SiCの酸化によるSiO_2を形成するために十分ではなかったためSiC欠乏層が形成された。ZrB_2 20vo1%SiCは高い加熱速度で2000°C以上で最良の耐酸化性を示したことが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 耐酸化性 ,  電気加熱 ,  *複合材料 ,  加熱速度 ,  保持時間 ,  *炭化ケイ素 ,  *酸化 ,  空乏層
準シソーラス用語： 酸素分圧 ,  形成機構 ,  酸化挙動 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 超高温セラミックス(UHTC) ,  ZrB_2 ,  電気加熱 ,  酸化 ,  SiC

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 二成分 ,  複合材料 ,  酸化挙動