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J-GLOBAL ID：201702234535505004   整理番号：17A0313497

熱蒸発法によるガラス基板上への無触媒ZnOテトラポッドの制御成長【Powered by NICT】

Control growth of catalyst-free ZnO tetrapods on glass substrate by thermal evaporation method

著者 (3件)： Alsultany Forat H. (School of Physics, Universiti Sains Malaysia, 11800 USM Penang, Malaysia) ,  Hassan Z. (Institute of Nano-Optoelectronics Research and Technology Laboratory (INOR), Universiti Sains Malaysia, 11800 USM Penang, Malaysia) ,  Ahmed Naser M. (School of Physics, Universiti Sains Malaysia, 11800 USM Penang, Malaysia)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 42  号： 11  ページ： 13144-13150  発行年： 2016年08月15日 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱蒸発法により触媒またはシード層を使用せずにZnOテトラポッド(ZnO Ts)の無触媒成長のためのガラス基板の新しい三ステップ方向を調べた。本研究では,650°Cの成長温度でガス流への0°,45°および90°の傾斜角を持つガラス基板の三ステップ方向によるすれすれ角入射堆積により達成されたZnO Tsの制御された合成形態的,構造的および光学的性質に及ぼす基板傾斜角の効果を,電界放出走査電子顕微鏡,X線回折,紫外可視分光法,および光ルミネセンススペクトルを用いて系統的に調べた。結果は基板傾斜角はZnO Tsの核形成と成長を決定する上で最も重要な制御パラメータの一つであることを示した。この新しい方法は,テトラポッドの合成,種々の光電子応用と固体素子に有用であり得るようなに対して費用効果のある簡便な方法を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光電子 ,  *酸化亜鉛 ,  *蒸発 ,  核形成 ,  傾斜角 ,  X線回折 ,  すれすれ入射 ,  発光
準シソーラス用語： 光ルミネセンススペクトル ,  紫外可視分光法 ,  電界放出型走査電子顕微鏡 ,  成長温度 ,  シード層 ,  *テトラポッド ,  *ガラス基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ZnO ,  大規模 ,  触媒フリー ,  X線回折 ,  紫外発光 ,  Enhancement

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 蒸発 ,  ガラス基板 ,  触媒 ,  ZnO ,  テトラポッド ,  成長