文献

J-GLOBAL ID：201702235454240685   整理番号：17A0442880

GaCl_3を用いたトリ-ハロゲン化物気相エピタクシーによるアモノサーマル種子上の厚い非極性m面と半極性(10 <span style=text-decoration:overline>1</span> <span style=text-decoration:overline>1</span>)GaN【Powered by NICT】

Thick nonpolar m-plane and semipolar ( 10 <span style=text-decoration:overline>1</span> <span style=text-decoration:overline>1</span> ) GaN on an ammonothermal seed by tri-halide vapor-phase epitaxy using GaCl₃

著者 (7件)： Iso Kenji (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16 Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Matsuda Karen (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16 Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Takekawa Nao (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16 Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Hikida Kazuhiro (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16 Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Hayashida Naoto (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16 Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Murakami Hisashi (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16 Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Koukitu Akinori (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16 Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 461  ページ： 25-29  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚さ0.5 1~0.3mmのGaN層は非極性m面(10 <span style=text-decoration:overline>1</span> 0)及び半極性(10 <span style=text-decoration:overline>1</span> <span style=text-decoration:overline>1</span>)アモノサーマルGaN基板上に3ハロゲン化物気相エピタクシーによる~275μmμm/hの成長速度で1280°Cで成長させた。 5°オフ角を持つ非極性m面(10 <span style=text-decoration:overline>1</span> 0)では,X線ロッキング曲線(XRC)および基底面積層欠陥(BSF)密度の半値全幅(FWHM)は成長速度を115 245μm/から,それぞれ,50~178′′と4.8×10~1から1.0×10~3cm~ 1へ増加した。一方,XRC-FWHMと275μmμm/hで成長させた半極性(10 <span style=text-decoration:overline>1</span> <span style=text-decoration:overline>1</span>)のためのBSF密度は28′′と8.3×10~1cm~ 1小であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  ロッキングカーブ ,  *気相成長 ,  成長速度 ,  積層欠陥 ,  *非極性 ,  FWHM ,  X線 ,  *ハロゲン化物
準シソーラス用語： オフ角 ,  *半極性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A1基質 ,  A3水素化物気相エピタクシー ,  B1窒化物 ,  B2半導性III-V材料

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： トリ ,  ハロゲン化物 ,  気相エピタクシー ,  種子 ,  非極性 ,  半極性 ,  GaN