村上尚

Murakami Hisashi

所属機関・部署：
職名：准教授
その他の所属（所属・部署名・職名） (3件)：

ホームページURL (1件)： http://murakamilab.jpn.org/

研究分野 (1件)：結晶工学

研究キーワード (1件)：結晶成長、エピタキシャル成長

競争的資金等の研究課題 (23件)：

2015 - 2015 高品質・厚膜InGaNのTHVPE成長

2015 - 2015 バルク窒化アルミニウム結晶の点欠陥形成メカニズム解明によるn形導電性結晶の創出

2013 - 2015 新規面方位制御技術を用いた非極性窒化ガリウムおよび窒化物半導体結晶の創製

2014 - 2014 超小型反応炉を用いたガス原料の気相反応メカニズムの解析

2013 - 2014 超小型反応炉を用いたガス原料の気相反応メカニズムの解析

2014 - 2014 高品質・厚膜InGaNのTHVPE成長

2014 - 2014 深紫外光透過性発現メカニズム解明による実用的バルク窒化アルミニウム結晶の創出

2013 - 2013 原料分子制御法による新しいバルクGaN成長法の創出

2013 - 2013 深紫外光透過性発現メカニズム解明による実用的バルク窒化アルミニウム結晶の創出

2012 - 2012 原料分子制御法による新しいバルクGaN成長法の創出

2012 - 2012 深紫外光透過性発現メカニズム解明による実用的バルク窒化アルミニウム結晶の創出

2011 - 2012 GaAs高指数面および無極性面基板上、窒化物半導体結晶の配向メカニズムの解明

2011 - 2011 原料分子制御法による新しいバルクGaN成長法の創出

2010 - 2010 原料分子制御法によるAlNおよびAlGaN混晶の厚膜エピタキシャル成長

2009 - 2009 原料分子制御法によるAlNおよびAlGaN混晶の厚膜エピタキシャル成長

2008 - 2009 P型伝導窒化インジウム結晶実現に向けた成長モード制御による高品質化

2008 - 2008 原料分子制御法によるAlNおよびAlGaN混晶の厚膜エピタキシャル成長

2003 - 2004 低温バッファ層ナノ結晶制御によるIII族窒化物半導体高品質結晶成長

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論文 (105件)：

MISC (96件)：

Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu. Influence of substrate polarity of (0 0 0 1) and (0 0 0over(1, -) )GaN surfaces on hydride vapor-phase epitaxy of InN. Journal of Crystal Growth. 2010. 312. 5. 651-655
Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu. Influence of substrate polarity of (0001) and (0 0 0 (1)over-bar)GaN surfaces on hydride vapor-phase epitaxy of InN. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2010. 312. 5. 651-655
Kazuhiro Akiyama, Yasuhiro Ishii, Sohei Abe, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Hironori Okumura, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda, Akinori Koukitu. In situ Gravimetric Monitoring of Thermal Decomposition and Hydrogen Etching Rates of 6H-SiC(0001) Si Face. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2009. 48. 9. 095505(1-4)
Kazuhiro Akiyama, Yasuhiro Ishii, Sohei Abe, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Hironori Okumura, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda, Akinori Koukitu. In situ Gravimetric Monitoring of Thermal Decomposition and Hydrogen Etching Rates of 6H-SiC(0001) Si Face. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2009. 48. 9. 095505(1-4)
Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu. Ab initio calculation for an initial growth process of GaN on (0001) and (000(1)over-bar) surfaces by vapor phase epitaxy. PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2. 2009. 6. S2. S301-S304

書籍 (1件)：

講演・口頭発表等 (385件)：

High temperature growth of thick InGaN layer with the indium solid composition of 10% using tri-halide vapor phase epitaxy
(International Conference on LEDs and their Industrial Applications ’17 (LEDIA'17) 2017)
Temperature dependence of In2O3 growth on (0001) sapphire by HVPE
(International Conference on LEDs and their Industrial Applications ’17 (LEDIA'17) 2017)
パワーデバイスに向けたGa2O3ウエハプロセス技術
(第64回応用物理学会学術講演会 2017)
Mg Ion Implantation Technology for Vertical Ga2O3 Power Devices
(第64回応用物理学会学術講演会 2017)
ハライド気相成長法による単結晶β-Ga2O3基板上高速ホモエピタキシャル成長
(独立行政法人日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会第98回研究会「ワイドギャップ酸化物半導体β-Ga2O3結晶成長、結晶評価、デバイス応用」 2017)

学歴 (3件)：

学位 (2件)：

経歴 (5件)：

受賞 (2件)：

2011/07/15 - Young Researcher Award (9th International Conference on Nitride Semiconductors)
2011/06/18 - 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会研究奨励賞 In系窒化物半導体のMOVPE、HVPE成長

所属学会 (2件)：

日本結晶成長学会 , 応用物理学会

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

村上 尚