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J-GLOBAL ID：201702235470474625   整理番号：17A0402508

表面活性化誘電体接着ウエハのためのエッジトリミング【Powered by NICT】

Edge trimming for surface activated dielectric bonded wafers

著者 (11件)： Inoue Fumihiro (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Jourdain Anne (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Visker Jakob (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Peng Lan (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Moeller Berthold (Disco Hi-Tec Europe GmbH, Liebigstrasse 8, D-85551 Kirchheim b. Munich, Germany) ,  Yokoyama Kaori (Disco Hi-Tec Europe GmbH, Liebigstrasse 8, D-85551 Kirchheim b. Munich, Germany) ,  Phommahaxay Alain (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Rebibis Kenneth June (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Miller Andy (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Beyne Eric (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Sleeckx Erik (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 167  ページ： 10-16  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 永久結合したウエハ上のエッジトリミングプロセスの影響について述べた。エッジトリミングプロセスは,Siウエハエッジ欠陥とベベルに適用したブレード切断過程であり,研削に先立ってウエハの脆弱なエッジを除去した。永久接着したSiウエハ上に集積するための二つの経路を研究し,結合後の結合とエッジトリム前エッジトリム。両統合経路のその後の過程に及ぼす影響を評価した。結合前のエッジトリムの場合,水とアンモニアスクラブ洗浄中に溶解したオゾンのような機能水洗浄の組合せはSi残基を除去するために有意な影響を示し,ボイドフリー誘電結合を可能にした。結合後エッジトリムの場合,小さなグリットダイヤモンドブレードを用いた誘電体結合界面への機械的故障を示さなかった。これらの提案したプロセスであるaウエハ端での機械的破壊を受けずに極薄Siの作製に非常に有望である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： アンモニア ,  オゾン ,  界面 ,  水洗 ,  *誘電体 ,  研削 ,  ケイ素 ,  *接着
準シソーラス用語： 残基 ,  シリコンウエハ ,  *表面活性化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： エッジトリミング ,  間伐 ,  研削 ,  したウエハ-ウエハ統合 ,  プラズマ活性化接合

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 表面活性化 ,  誘電体 ,  ウエハ ,  エッジ