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J-GLOBAL ID：201702237389588898   整理番号：17A0158776

ハイブリッドIII Nitride/Organic半導体ナノ構造におけるエネルギー移動によるバンド端発光改善【Powered by NICT】

Band Edge Emission Improvement by Energy Transfer in Hybrid III-Nitride/Organic Semiconductor Nanostructure

著者 (12件)： Jiang Fulong (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University) ,  Liu Yaying (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University) ,  Li Yangyang (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University) ,  Chen Peng (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University) ,  Liu Bin (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University) ,  Xie Zili (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University) ,  Xiu Xiangqian (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University) ,  Hua Xuemei (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University) ,  Han Ping (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University) ,  Shi Yi (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University) ,  Zhang Rong (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University) ,  Zheng Youdou (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 33  号： 10  ページ： 108101_01-108101_04  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Niナノ島マスクを用いた誘導結合プラズマエッチングを用いて作製したGaNナノロッド。ポリ[2-メトキシ-5-(2-エチル)hexoxy-1,4-フェニレンビニレン](MEH PPV)/GaNナノロッドハイブリッド構造はスピンコーティングプロセスを用いたGaNナノロッド上のMEH-PPV膜を堆積することにより作製した。ハイブリッド構造では,空間分離は高いefHciency無放射共鳴エネルギー移動を達成するために最小化される。MEH PPV/GaNナノロッドハイブリッド構造の新しいデバイスの光学的性質を光ルミネセンス(PL)スペクトルを解析することによって研究した。純GaNナノロッドと比較して,MEH PPV/GaNナノロッド中でのGaNのバンド端発光のPL強度は三倍増強され,黄色バンドの強度はわずかに抑制された。得られた結果は,GaNナノロッドとMEH-PPV間のエネルギー移動により解析した。エネルギー移動モデルはこの現象を説明するために提案する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ナノロッド ,  *エネルギー移動 ,  光学的性質 ,  電磁結合 ,  複合構造 ,  光ルミネセンス ,  プラズマエッチング ,  *ニッケル ,  スペクトル ,  窒化ガリウム
準シソーラス用語： 共鳴エネルギー移動 ,  MEH-PPV ,  ナノアイランド ,  *バンド端発光 ,  半導体ナノ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導体ナノ構造 ,  エネルギー移動 ,  バンド端発光