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J-GLOBAL ID：201702237701260737   整理番号：17A0214155

MVSGコンパクトデバイスモデルを用いたGaNH EMT技術のRF回路線形性性能の研究【Powered by NICT】

Study of RF-circuit linearity performance of GaN HEMT technology using the MVSG compact device model

著者 (6件)： Radhakrishna Ujwal (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA 02139, USA) ,  Choi Pilsoon (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA 02139, USA) ,  Grajal Jesus (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA 02139, USA) ,  Peh Li-Shiuan (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA 02139, USA) ,  Palacios Tomas (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA 02139, USA) ,  Antoniadis Dimitri (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA 02139, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 3.7.1-3.7.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,GaNH EMTのような新しいデバイスの線形性性能技術ボトルネックを同定し,デバイス 設計と回路設計技術により線形性を改善する解を提供するツールとしての物理的コンパクトモデルを使用した最初の実証である。GaNベースH EMTはパーソナル通信,インターネットの5g等[1]のような新しい応用に供するためのディジタル変調情報の高効率,線形増幅のための需要増加に対処することができることを無線通信システムにおいて重要な技術的解決策として浮上している。高いバンドギャップ,キャリア移動度と電荷密度の観点からGaN-HEMTの主要な利点は,より良い出力電力(Pout),電力付加効率(PAE)をもたらすことができるが,前述の性能指数(FoMs)のトレードオフをGaN系電力増幅器(PA)の直線性挙動はまだ理解されていない。非線形性は複雑な変調信号のための帯域幅制約と高いビット誤り率(BER)を課すことを隣接チャネル干渉,スペクトル再成長,及び分解誤差ベクトル振幅(EVM)が得られた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ベクトル ,  非線形性 ,  キャリア移動度 ,  *窒化ガリウム ,  電力付加効率 ,  帯域幅 ,  性能指数 ,  回路設計 ,  インターネット ,  電力増幅器 ,  バンドギャップ ,  *線形性
準シソーラス用語： GaN HEMT ,  高効率 ,  コンパクトモデル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： EMT ,  RF回路 ,  線形性 ,  研究