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J-GLOBAL ID:201702238610709522   整理番号:17A0214145

統合FEM応用のための可変シリコン厚さ300mm鋳造HRSOI技術【Powered by NICT】

A 300mm foundry HRSOI technology with variable silicon thickness for integrated FEM applications
著者 (12件):
資料名:
巻: 2016  号: IEDM  ページ: 2.4.1-2.4.4  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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システムオンチップRFフロントエンドモジュール(FEM)の技術統合への新しいアプローチを提示した。1.6Ohm mmとf_T>39GHzのRonと最良拡張ドレインパワーMOSFET(EDNMOS)を達成するためのデバイス設計について考察した。これは選択的シリコン薄層化により統合した高性能スイッチデバイスの解析を行った。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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トランジスタ 

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