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J-GLOBAL ID：201702239446216419   整理番号：17A0046626

100nmAlGaN/GaN技術における超高電力密度WバンドMMIC PA

W-Band MMIC PA With Ultrahigh Power Density in 100-nm AlGaN/GaN Technology

著者 (4件)： Shaobing Wu (Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China) ,  Jianfeng Gao (Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China) ,  Weibo Wang (Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China) ,  Junyun Zhang (Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63  号： 10  ページ： 3882-3886  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3段階WバンドGaNモノリシックマイクロ波集積回路電力増幅器(MMIC PA)が報告されている。AlGaN/GaN HEMT構造上に超高アルミニウム含有量の100nmT形ゲートを画定するために,電子ビームリソグラフィが採用されている。MMIC PAは,90ー97GHzの帯域幅で16.7dBのピーク小信号利得を提供します。さらに,連続波モードで93GHzでピーク1.66W(32.2dBm)の出力電力を達成し,関連する電力付加効率は21%であり,関連する電力利得は13.7dBである。最も注目すべきことに,ピークパワー密度は,W-バンドで初めてAlGaN/GaN HEMTにおいて3W/mmを超える480-μm幅の出力段で3.46W/mmである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *電子ビームリソグラフィー ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *電力増幅器 ,  *EHF【周波数】 ,  *MMIC ,  *エネルギー密度 ,  アルミニウム ,  含有量 ,  T形回路 ,  ゲート回路 ,  帯域幅 ,  小信号利得 ,  電力付加効率 ,  電流電圧特性 ,  半導体チップ ,  Schottky障壁 ,  回路設計
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  Wバンド ,  超高電力密度 ,  高含有量

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  高電力密度 ,  Wバンド ,  MMIC ,  PA