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J-GLOBAL ID：201702239954829073   整理番号：17A0107846

小サイズデバイスにおける金属Zha平坦化の新技術【JST・京大機械翻訳】

Novel Technique to Planarize Nano-Sized High-k Metal Gate in Fabrication of Advanced CMOS Devices

著者 (9件)： Zhao Zhiguo (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences) ,  Yin Huaxiang (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences) ,  Zhu Huilong (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Yongkui (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Yanbo (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences) ,  Qin Changliang (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Qingzhu (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Yue (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences) ,  Zhao Chao (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences)
資料名： Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao  (Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao)
巻： 36  号： 9  ページ： 1030-1033  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2159A  ISSN： 1672-7126  CODEN： CKKSDV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 45NMの技術的ノードにおける高KKの成功した応用によって,この技術は,30NM未満の技術的ノードにとって不可欠である。同時に、高K金属Zhaは集積過程で有効な平坦化を得ることができ、デバイスの正常な性能を保証することは金属金属プロセスの肝心な技術の一つになっている。本論文で提案した金属反応性イオンエッチング+媒体再堆積+化学機械的平坦化の技術は,金属ゲートの平坦化を効果的に行うことができ,金属ゲートの平坦化過程における大きな面積領域の「金属過Shi」現象を避けることができる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： RIE【エッチング】 ,  媒質 ,  *化学機械研磨
準シソーラス用語： メタルゲート ,  *平坦化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： High k metal gate ,  Reactive ion etch ,  Film re-deposition ,  Chemical mechanical polish

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 小サイズ ,  平坦化