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J-GLOBAL ID：201702240679947464   整理番号：17A0080213

p型(001)GaPとのSchottkyコンタクトの電気的特性:キャリア輸送機構の理解

Electrical Characteristics of Schottky Contacts to p-Type (001) GaP: Understanding of Carrier Transport Mechanism

著者 (5件)： Song Sungjoo (Department of Nanophotonics, Korea University, Seoul, Korea) ,  Kim Dae-Hyun (Department of Nanophotonics, Korea University, Seoul, Korea) ,  Kang Daesung (Department of Nanophotonics, Korea University, Seoul, Korea) ,  Seong Tae-Yeon (Department of Nanophotonics, Korea University, Seoul, Korea) ,  Seong Tae-Yeon (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, Seoul, Korea)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 45  号： 10  ページ： 5297-5301  発行年： 2016年10月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 赤色から黄緑色に発光し,信号灯,自動車のテールランプ,生物療法に応用できる高効率AlGaInP発光ダイオード(LED)の開発には,p型Gapとの低抵抗オーミックコンタクトの形成が重要である。金属の仕事関数(Φ_M)に対するSchottky障壁高さ(SBH;Φ_B)の影響を調べることにより,現在の電流挙動を理解することができる。本研究では,SBHとその(001)p型GaP表面におけるΦ_Mの依存性を調べた。温度が上昇すると,SBHは増加し,理想因子は減少した。この挙動は,熱励起電界放出(TFE)モデルにより説明した。いろいろなSchottky金属に対して,SBHと理想因子は,それぞれ0.805eV~0.852eVと1.18~1.50の範囲であった。Sパラメータ(dΦ_B/dΦ_M)を0.025と推定し,ほぼゼロのこの値は,表面フェルミ準位が価電子帯端から約0.85eV上の表面状態で仮想的に完全にピン止めされていることを意味した。Copyright 2016 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *輸送現象 ,  Ohm接触 ,  *電気的性質 ,  発光ダイオード ,  仕事関数 ,  電界放出 ,  Schottky障壁 ,  Fermi準位 ,  *キャリア輸送
準シソーラス用語： オーミックコンタクト ,  *電気的特性

著者キーワード (5件)： carrier transport mechanism ,  AlGaInP ,  GaP ,  Schottky barrier height ,  TFE model

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： GAP ,  コンタクト ,  電気的特性 ,  キャリア輸送 ,  理解