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J-GLOBAL ID:201702241775055271   整理番号:17A0362493

高電圧SiCダイオードのための電力サイクル解析法【Powered by NICT】

Power cycling analysis method for high-voltage SiC diodes
著者 (5件):
資料名:
巻: 64  ページ: 429-433  発行年: 2016年 
JST資料番号: C0530A  ISSN: 0026-2714  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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電力サイクル試験のための新しい解析法,高電圧と温度炭化けい素ダイオードの開発を述べた。シリコンデバイスの最高温度定格,170°C以上の温度で動作する炭化けい素デバイスは,この新世代パワーデバイスの高温動作に適合した特別な信頼性試験を必要とする。さらに提示した方法の特異性は出力パルス中のダイオード内で開発した温度,温度特性遅延対印加電流と温度キャリブレーション法を証明できることを10ms正弦波電力電流パルスの使用である。さらに,この全体的方法である結合接触で発生した変換を証明することができ,染料が付着する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
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固体デバイス計測・試験・信頼性 
タイトルに関連する用語 (5件):
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