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J-GLOBAL ID：201702242556913515   整理番号：17A0755429

低k SiCOH誘電体故障分布の根本原因を決定するための方法【Powered by NICT】

Method to Determine the Root Cause of Low- $¥kappa$ SiCOH Dielectric Failure Distributions

著者 (6件)： Ogden Sean P. (GLOBALFOUNDRIES, Malta, NY, USA) ,  Yeap Kong Boon (GLOBALFOUNDRIES, Malta, NY, USA) ,  Shen Tian (GLOBALFOUNDRIES, Malta, NY, USA) ,  Justison Patrick (GLOBALFOUNDRIES, Malta, NY, USA) ,  Lu Toh-Ming (Physics Department, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY, USA) ,  Plawsky Joel L. (Howard P. Isermann Chemical and Biological Engineering Department, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 1  ページ： 119-122  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低k SiCOH信頼性は集積回路の信頼性のための関心が高まっている。製品認定のための重要な考慮は試料の群からの結果に基づく低パーセントの破壊への正確な外挿を含んでいる。電圧ランプデータを用いた誘電体試料の群間の故障分布の根本原因を決定する方法を提示した。試料の漏れ電流トレースと絶縁破壊電圧を互いに比較した。この方法を用いて,誘電体間隔変動は膜の横断ウェーハ不良を支配することを決定したが,局所破壊強度の変化は,チップ内破壊に影響する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 信頼性 ,  漏れ電流 ,  *誘電体 ,  *故障 ,  外挿法 ,  破壊強さ ,  電圧
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  回路信頼性 ,  *根本原因 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 誘電体 ,  故障 ,  分布 ,  根本原因