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J-GLOBAL ID：201702242775450191   整理番号：17A0318061

Ni/n型Ge Schottky障壁ダイオードのSchottky障壁パラメータに及ぼすTa酸化物中間層の影響【Powered by NICT】

Effects of Ta-oxide interlayer on the Schottky barrier parameters of Ni/n-type Ge Schottky barrier diode

著者 (10件)： Lee Hoon-Ki (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea) ,  Jyothi I. (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea) ,  Janardhanam V. (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea) ,  Shim Kyu-Hwan (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea) ,  Yun Hyung-Joong (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea) ,  Yun Hyung-Joong (Division of Material Science, Korea Basic Science Institute, Daejeon 305-806, Republic of Korea) ,  Lee Sung-Nam (Department of Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University, Siheung 429-793, Republic of Korea) ,  Hong Hyobong (Electronics & Telecommunication Research Institute (ETRI), Daejeon 305-700, Republic of Korea) ,  Jeong Jae-Chan (Electronics & Telecommunication Research Institute (ETRI), Daejeon 305-700, Republic of Korea) ,  Choi Chel-Jong (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 163  ページ： 26-31  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ni/n型Geショットキー障壁ダイオード(SBD)のショットキー障壁パラメータへのTa酸化物中間層の影響を調べた。Ta酸化物中間層の間のNi膜とGe基板の導入は通常のNi/n型ゲルマニウムSBDに対する障壁高さの増加をもたらした。さらに,Ta酸化物中間層の厚さの増加は,障壁高さの増加をもたらし,理想因子,ショットキー接合の界面品質の改善と関連している可能性が減少した。5nm厚のTa酸化物層が厚さ3nmのTa酸化物,界面状態密度と理想因子の減少に有効であったよりも化学量論。Ta酸化物がある場合とない場合のNi/n型Ge SBDの逆電流の電場依存性の研究は,Poole-Frenkel放出機構は,逆バイアス領域における両デバイスの電流伝導を支配することを明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  *ニッケル ,  *酸化タンタル ,  化学量論 ,  表面準位 ,  界面 ,  ダイオード ,  *Schottky障壁ダイオード
準シソーラス用語： 逆バイアス ,  電場依存性 ,  界面状態密度 ,  Schottky接合 ,  理想因子 ,  障壁高さ ,  *中間層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Schottky障壁ダイオード ,  Ta酸化物 ,  界面状態 ,  Ge ,  Ni ,  電流伝導

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ni ,  Ge ,  Schottky障壁ダイオード ,  Schottky障壁 ,  パラメータ ,  Ta酸化物 ,  中間層