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J-GLOBAL ID：201702245610907961   整理番号：17A0370152

Si太陽電池における不動態化トップ/裏面コンタクトとしてポリSi/SiO_x接触の応用【Powered by NICT】

The application of poly-Si/SiO_x contacts as passivated top/rear contacts in Si solar cells

著者 (6件)： Feldmann Frank (Fraunhofer ISE, Heidenhofstr. 2, D-79110 Freiburg, Germany) ,  Feldmann Frank (Albert Ludwig University Freiburg, Department of Sustainable Systems Engineering, Georges-Kohler-Allee 103, D-79110 Freiburg, Germany) ,  Reichel Christian (Fraunhofer ISE, Heidenhofstr. 2, D-79110 Freiburg, Germany) ,  Mueller Ralph (Fraunhofer ISE, Heidenhofstr. 2, D-79110 Freiburg, Germany) ,  Mueller Ralph (Albert Ludwig University Freiburg, Department of Sustainable Systems Engineering, Georges-Kohler-Allee 103, D-79110 Freiburg, Germany) ,  Hermle Martin (Fraunhofer ISE, Heidenhofstr. 2, D-79110 Freiburg, Germany)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 159  ページ： 265-271  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低圧化学蒸着(LPCVD)高濃度ドープpoly-Siと薄いSiO_x層に基づく不動態化接触が櫛形裏面接触(IBC)構造太陽電池への応用のための検討した。ポリSi/SiO_ 接触は,湿式化学的に成長させたSiO_xトンネル層を適用することにより実現し,続いてポリSi/SiO_xに変換されることをイオン注入によりドープした非晶質Si(a Si)層は高温ステップによる接触する。そのような接触の表面不動態化に及ぼすドーピング種,イオン線量,及びポリSi厚さの影響を研究した。4.5までfA/cm~2優れたJ_0値はn~+ポリSi接触に対して測定され,一方,22fA/cm~2J,0値はp~+ポリSi接触で得られた。トップ/後ポリSi接触を持つ太陽電池を作製し,81%以上の709mVとFF値までV_Voc値を測定した。さらに,10~40nm厚ポリSi膜における寄生吸収損失の上限は約0.5mA~2当たり10nmポリSi層の厚さであることを定量化した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高温 ,  *ポリシリコン ,  櫛形 ,  *ケイ素 ,  LPCVD ,  イオン注入 ,  *太陽電池 ,  ドーピング ,  非晶質 ,  *不動態化
準シソーラス用語： イオン線量 ,  表面不動態化 ,  高濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 不動態化された接触 ,  ポリSi接触 ,  トンネル酸化物 ,  表面不動態化

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  太陽電池 ,  不動態化 ,  トップ ,  コンタクト ,  ポリSi ,  応用