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J-GLOBAL ID：201702246810919097   整理番号：17A0385775

β-Ga₂O₃(100)単結晶基板上のSchottkyバリアダイオードとその温度依存電気特性

Schottky barrier diode based on β-Ga₂O₃ (100) single crystal substrate and its temperature-dependent electrical characteristics

著者 (10件)： He Qiming (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Mu Wenxiang (State Key Laboratory of Crystal Materials, Key Laboratory of Functional Crystal Materials and Device, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Dong Hang (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Long Shibing (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Jia Zhitai (State Key Laboratory of Crystal Materials, Key Laboratory of Functional Crystal Materials and Device, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Lv Hangbing (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Liu Qi (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Tang Minghua (Key Laboratory of Key Film Materials and Application for Equipments (Hunan Province), School of Material Sciences and Engineering, Xiangtan University, Xiangtan 411105, Hunan, China) ,  Tao Xutang (State Key Laboratory of Crystal Materials, Key Laboratory of Functional Crystal Materials and Device, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Liu Ming (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 9  ページ： 093503-093503-5  発行年： 2017年02月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  *酸化ガリウム ,  単結晶 ,  *電流電圧特性 ,  X線回折 ,  半導体金属接合 ,  白金 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  温度依存性 ,  薄膜成長 ,  電気抵抗 ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： Schottky接合 ,  HRTEM

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： β-Ga2O3 ,  単結晶基板 ,  Schottkyバリアダイオード ,  温度依存 ,  電気特性