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J-GLOBAL ID：201702248056048151   整理番号：17A0759466

より深い4H-SiCp-n接合のためのVLS局在エピタクシーのさらなる最適化【Powered by NICT】

Further optimization of VLS localized epitaxy for deeper 4H-SiC p-n junctions

著者 (8件)： Sejil S. (Laboratoire des Multimateriaux et Interfaces (LMI), Universite Claude Bernard Lyon 1, 22 avenue Gaston Berger, 69622 Villeurbanne cedex, France) ,  Sejil S. (Laboratoire AMPERE, INSA Lyon - Institut National des Sciences Appliquees de Lyon, Batiment Leonard de Vinci, 69621 Villeurbanne cedex, France) ,  Lazar M. (Laboratoire AMPERE, INSA Lyon - Institut National des Sciences Appliquees de Lyon, Batiment Leonard de Vinci, 69621 Villeurbanne cedex, France) ,  Carole D. (Laboratoire des Multimateriaux et Interfaces (LMI), Universite Claude Bernard Lyon 1, 22 avenue Gaston Berger, 69622 Villeurbanne cedex, France) ,  Brylinski C. (Laboratoire des Multimateriaux et Interfaces (LMI), Universite Claude Bernard Lyon 1, 22 avenue Gaston Berger, 69622 Villeurbanne cedex, France) ,  Planson D. (Laboratoire AMPERE, INSA Lyon - Institut National des Sciences Appliquees de Lyon, Batiment Leonard de Vinci, 69621 Villeurbanne cedex, France) ,  Ferro G. (Laboratoire des Multimateriaux et Interfaces (LMI), Universite Claude Bernard Lyon 1, 22 avenue Gaston Berger, 69622 Villeurbanne cedex, France) ,  Raynaud C. (Laboratoire AMPERE, INSA Lyon - Institut National des Sciences Appliquees de Lyon, Batiment Leonard de Vinci, 69621 Villeurbanne cedex, France)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 4  ページ： ROMBUNNO.201600454  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高p型ドープ4H-SiCの局所エピタクシー,VLS輸送に基づいて扱い,PNまたはPINデバイスのエミッタのための,パワーデバイスの末梢保護のための使用することを意図した。目標は充填1μm深さの井戸,プラズマエッチしたn型エピ層にすることであった。著者らは以前に,低漏れ電流をもつ真のp-n接合は高温度でポスト成長アニーリング無しのこの代替法を用いて達成できることを示した。初めて報告する,p~+SiCを900nmまでエッチングされた井戸の充填,規則的で均一な表面形態を示した。本研究では,SiC VLSエピタクシーの物理的解析の間の相関,およびVLS成長した局所的にp型ドープしたエミッタを持つp/nダイオード上で実施した電気特性を示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： VLS成長 ,  焼なまし ,  ダイオード ,  漏れ電流 ,  *エピタクシー ,  電気特性 ,  *PN接合 ,  *炭化ケイ素 ,  プラズマエッチング ,  高温 ,  ドーピング
準シソーラス用語： 表面形態 ,  エピタキシャル層 ,  パワーデバイス ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ドーピング ,  電気的性質 ,  p-n接合 ,  SiC ,  蒸気-液体-固体エピタキシー

分類 (3件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (2件)： エピタクシー ,  最適化