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J-GLOBAL ID：201702248075892220   整理番号：17A0407461

プラズマ損傷の自由であることの対向ターゲットスパッタリングによるグラフェン底部電極上に蒸着した大面積薄膜キャパシタ【Powered by NICT】

Large-area thin-film capacitors deposited onto graphene bottom electrodes via facing-target sputtering that is free of plasma damage

著者 (4件)： Kim Jae-Hee (Department of Materials Science and Engineering, Chungnam National University, Daeduk Science Town, 34143, Daejeon, South Korea) ,  Park Byeong-Ju (Department of Materials Science and Engineering, Chungnam National University, Daeduk Science Town, 34143, Daejeon, South Korea) ,  Eom Ji-Ho (Department of Materials Science and Engineering, Chungnam National University, Daeduk Science Town, 34143, Daejeon, South Korea) ,  Yoon Soon-Gil (Department of Materials Science and Engineering, Chungnam National University, Daeduk Science Town, 34143, Daejeon, South Korea)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 695  ページ： 2886-2893  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚さ百nmのBi_2Mg_2/3Nb_4/3O_7(BMN)薄膜を軸上スパッタリングと対向ターゲットスパッタリング(FTS)による300°Cでグラフェン底部電極上に蒸着した4×4cm~2キャパシタを作製した。急速熱化学気相堆積(RTP CVD)によるNi(250 nm)/Si(001)上に成長させたグラフェン膜は,しわとリップル除去のためのTi(10 nm)/SiO_2(250 nm)/Si(001)基板に転写した。軸上スパッタリングはBMNキャパシタの誘電特性と漏れ電流特性を劣化させた。FTS法はプラズマ損傷の自由,BMN/グラフェン薄膜キャパシタの電気的性質を顕著に高めた。FTSはグラフェン底部電極を用いた大規模薄膜キャパシタのための魅力的な方法である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気的性質 ,  *薄膜 ,  化学蒸着 ,  *グラフェン ,  *スパッタリング ,  誘電性 ,  *薄膜コンデンサ ,  *コンデンサ ,  漏れ電流 ,  高速度
準シソーラス用語： *大面積 ,  *プラズマ損傷 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： BMN薄膜コンデンサ ,  グラフェン底電極 ,  軸上スパッタリング ,  FTS ,  誘電特性 ,  漏れ電流密度

分類 (3件)： 静電機器  (NB10020R) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  触媒の調製  (CB06110P)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ損傷 ,  ターゲット ,  スパッタリング ,  グラフェン ,  蒸着 ,  大面積 ,  薄膜キャパシタ