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J-GLOBAL ID：201702248567857748   整理番号：17A0469727

ジブロック共重合体リソグラフィーナノパターニングを用いたGaAs基板上の歪んだ(In)GaAs量子ドットの選択的成長【Powered by NICT】

Selective growth of strained (In)GaAs quantum dots on GaAs substrates employing diblock copolymer lithography nanopatterning

著者 (8件)： Kim Honghyuk (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, USA) ,  Choi Jonathan (Department of Material Science and Engineering, University of Wisconsin-Madison, USA) ,  Lingley Zachary (Electronics and Photonics Laboratory, The Aerospace Corporation, USA) ,  Brodie Miles (Electronics and Photonics Laboratory, The Aerospace Corporation, USA) ,  Sin Yongkun (Electronics and Photonics Laboratory, The Aerospace Corporation, USA) ,  Kuech Thomas F. (Department of Chemical and Biological Engineering, University of Wisconsin-Madison, USA) ,  Gopalan Padma (Department of Material Science and Engineering, University of Wisconsin-Madison, USA) ,  Mawst Luke J. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 465  ページ： 48-54  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体レーザダイオード(LD)は選択領域エピタクシー(SAE)を用いた表向き厳密な(100)GaAs基板上に有機金属気相エピタクシー(MOVPE)により成長させた歪(In)GaAs量子ドット(QD)活性領域を用いて実証した。SAE QD成長は,ジブロック共重合体(BCP)リソグラフィーによって定義されたSiN_xナノパターン化したマスクを採用した。,QDのSAEの前に,四臭化炭素(CBr_4)を用いたその場エッチングはナノパターン移動過程中に導入された加工関連損傷を除去するための有効であることを示し,最適その場エッチング条件下でLDのしきい値電流密度の有意な減少をもたらした。さらに,QDは最適その場エッチング条件で成長したモード光学利得パラメータと透明電流密度はLD素子に従来の共振器長分析(CLA)によって抽出した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： エッチング ,  電流密度 ,  活性部位 ,  *ヒ化ガリウム ,  半導体レーザ ,  *リソグラフィー ,  *量子ドット ,  エピタクシー ,  ナノ構造 ,  パターン形成 ,  *選択成長 ,  MOCVD ,  しきい値電流密度 ,  ナノパターン
準シソーラス用語： 光利得 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A3有機金属気相エピタクシー ,  A1ナノ構造 ,  A3選択的エピタクシー ,  A1エッチング ,  B3レーザダイオード

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： ジブロック共重合体 ,  GaAs基板 ,  GaAs ,  量子ドット ,  選択的成長