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J-GLOBAL ID：201702249723590461   整理番号：17A0759486

シリコン上の2.0μm波長における半導体光増幅器【Powered by NICT】

Semiconductor optical amplifiers at 2.0-μm wavelength on silicon
著者 (10件)：
Volet Nicolas

Volet Nicolas について

(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara (UCSB), CA 93106, USA)

Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara (UCSB), CA 93106, USA について

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Spott Alexander

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(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara (UCSB), CA 93106, USA)

Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara (UCSB), CA 93106, USA について

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Stanton Eric J.

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(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara (UCSB), CA 93106, USA)

Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara (UCSB), CA 93106, USA について

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Davenport Michael L.

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(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara (UCSB), CA 93106, USA)

Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara (UCSB), CA 93106, USA について

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Chang Lin

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(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara (UCSB), CA 93106, USA)

Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara (UCSB), CA 93106, USA について

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Peters Jon D.

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(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara (UCSB), CA 93106, USA)

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Briles Travis C.

Briles Travis C. について

(National Institute of Standards and Technology (NIST), 325 Broadway, Boulder, CO 80305, USA)

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Vurgaftman Igor

Vurgaftman Igor について

(US Naval Research Laboratory, Washington, DC 20735, USA)

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Meyer Jerry R.

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(US Naval Research Laboratory, Washington, DC 20735, USA)

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Bowers John E.

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(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara (UCSB), CA 93106, USA)

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資料名：
Laser & Photonics Reviews  (Laser & Photonics Reviews)

Laser & Photonics Reviews について


巻： 11  号： 2  ページ： ROMBUNNO.201600165  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2334A  ISSN： 1863-8880  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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波長2.0μmでの半導体光増幅器を報告した。このデバイスは,シリコン基板にInP系活性領域を直接結合によって統合された不均一である。は低コストと高容積製造インフラストラクチャと互換性があり,フォトニック集積回路における他の能動及び受動素子に結合できる。20°Cで示し,2.01μmに中心を持つ~75nmの3dB帯域幅をもつ13dBより大きいオンチップ利得。利得の飽和は 0dBmまでオンチップ入力パワーに対して観察されず,オンチップ利得は少なくとも50°Cまでの温度で観測した。この技術は,光通信,工業や医療モニタリング,および非線形光学のためのチップレベル応用への道を開くものである。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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光通信

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インフラストラクチャー

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帯域幅

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リン化インジウム

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非線形光学

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互換性

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光集積回路

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準シソーラス用語：
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シリコンフォトニクス

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