効率11.19%のCu(In,Ga)Se<sub>2</sub>太陽電池のための共沈したCuInおよびCuGa前駆体のポストセレン化プロセスの最適化

CHENG Ke; HAN Kaikai; KUANG Zhongcheng; JIN Ranran; HU Junxia; GUO Longfei; LIU Ya; LU Zhangbo; DU Zuliang

文献

J-GLOBAL ID：201702251231710446 整理番号：17A0557653

効率11.19%のCu(In,Ga)Se₂太陽電池のための共沈したCuInおよびCuGa前駆体のポストセレン化プロセスの最適化

Optimization of Post-selenization Process of Co-sputtered CuIn and CuGa Precursor for 11.19% Efficiency Cu(In,Ga)Se₂ Solar Cells

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資料名：
巻： 46 号： 4 ページ： 2512-2520 発行年： 2017年04月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

厚さ600nmのCuInGa前駆体膜を,CuInターゲットとCuGaターゲットの同時スパッタリングによって作製した。Se雰囲気下でのアニールによるセレン化の後,Cu(In,Ga)Se₂(CIGS)吸収体を得た。560°Cでセレン化したCIGSではCu/(In+Ga)の比が0.96であった。わずかにCu不足であり,Cu空孔の存在によるp型CIGS吸収体となった。この元素比で,5.60%の変換効率を得た。組成,結晶化度およびデバイス性能に対するセレン化温度の影響を系統的に調査した。追加の予熱処理により,CIGS吸収材の品質がさらに向上した。最適化したCIGS吸収体では,40.357mA/cm²のJ_scで11.19%の電力変換効率,456mVのV_oc,および60.82%のフィルファクタを達成した。この効率は,今までのCIGSデバイスと比較して大幅な改善であった。効率の向上は,主にセレン化前のCIGS吸収装置の完全な結晶化のためであった。

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太陽電池 , 半導体の結晶成長

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効率11.19%のCu(In,Ga)Se2太陽電池のための共沈したCuInおよびCuGa前駆体のポストセレン化プロセスの最適化

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