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J-GLOBAL ID:201702251633910657   整理番号:17A0665836

光触媒活性抑制のためのTiO_2粒子上の室温パルスCVD成長させたSiO_2保護層【Powered by NICT】

Room-temperature pulsed CVD-grown SiO2 protective layer on TiO2 particles for photocatalytic activity suppression
著者 (6件):
資料名:
巻:号:ページ: 4547-4554  発行年: 2017年 
JST資料番号: U7055A  ISSN: 2046-2069  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,触媒を使用せずにSiCl_4と空気を含む水を用いて室温でTiO_2アナターゼナノ粒子上の超薄および共形SiO_2層の堆積を可能にする新規な化学蒸着(CVD)アプローチを提案した。CVD成長SiO_2層の形態はTiO_2ナノ粉末の初期表面状態があり,それは簡単な熱前処理を適用することにより変えることができるに強く依存することが分かった。未処理TiO_2上の析出物は粒状膜をもたらし,予熱TiO_2に高度に均一で共形SiO_2層が得られた。SiCl_4前駆体投与時間とCVDサイクルの数を変えることにより,SiO_2の厚さがナノメータのレベル,光触媒抑制能に及ぼす膜厚の影響を調べることを可能にしたで制御することができた。は3nmの厚さをもつ共形SiO_2層はアナターゼTiO_2ナノ粒子の光触媒活性を,ローダミンBの光分解により示されるを抑制するのに充分だろうことを見出した。我々のアプローチは,直接,特に熱感受性材料,顔料および他の分野におけるナノ粒子に及ぼすSiO_2被覆に適用し,さらに大規模生産のために開発できる,簡単,迅速,実行可能であり,低温蒸着方法を提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (3件):
分類
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光化学一般  ,  電気化学反応  ,  塩基,金属酸化物 
物質索引 (1件):
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